[发明专利]一种离子连续收集装置和方法、以及离子富集系统和方法

权利要求书

1.一种基于线性离子阱的离子连续收集装置，所述线性离子阱包括用于施加射频电压的x向电极对和y向电极对、以及端盖电极，所述端盖电极上设有离子入射口，其特征在于，所述收集装置还包括用于向所述x向电极对中的一个电极和/或y向电极对中的一个电极上施加直流偏置电压的电压施加装置。

2.根据权利要求1所述的收集装置，其特征在于，所述电压施加装置施加的直流偏置电压的大小为所述射频电压大小的0.01～0.1倍。

3.一种基于线性离子阱的离子连续收集装置，所述线性离子阱包括用于施加射频电压的x向电极对和y向电极对、以及端盖电极，所述端盖电极上设有离子入射口，其特征在于，所述离子入射口设置于所述端盖电极的非中心处。

4.根据权利要求3所述的收集装置，其特征在于，所述收集装置还包括用于向所述x向电极对中的一个电极和/或y向电极对中的一个电极上施加直流偏置电压的电压施加装置。

5.根据权利要求4所述的收集装置，其特征在于，所述电压施加装置施加的直流偏置电压的大小为所述射频电压大小的0.01～0.1倍。

6.根据权利要求3-5任一项所述的收集装置，其特征在于，所述离子入射口偏离所述端盖电极中心处的距离为所述端盖电极中心处至边缘距离的0.05～0.3倍。

7.根据权利要求6所述的收集装置，其特征在于，所述离子入射口偏离所述端盖电极中心处的距离为所述端盖电极中心处至边缘距离的0.1～0.2倍。

8.根据权利要求3-7任一项所述的收集装置，其特征在于，所述离子入射口设置于所述线性离子阱内x-y向场平面对角线沿z向在所述端盖电极上投影的位置处。

9.一种基于线性离子阱的离子连续收集方法，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的收集装置进行离子的连续收集。

10.一种低丰度离子的富集系统，其特征在于，其包括：

离子激发装置，用于选择性激发所要富集的低丰度离子；

离子收集装置，用于收集激发的低丰度离子；

其中，所述离子激发装置的离子出口与所述离子收集装置的离子入射口相连，所述离子收集装置为权利要求1-8任一项所述的收集装置。

11.根据权利要求10所述的富集系统，其特征在于，所述离子激发装置为3D离子阱。

12.一种低丰度离子的富集方法，其特征在于，采用权利要求10或11所述的富集系统，包括以下步骤：

S1：将所要富集的低丰度离子进行选择性激发；

S2：将激发的低丰度离子连续入射至离子收集装置进行连续收集即可。