[发明专利]用于将导电几何结构贴压到陶瓷基板上的方法及制得组件和超材料有效

专利信息
申请号: 201310513273.1 申请日: 2013-10-25
公开(公告)号: CN104557099A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳光启创新技术有限公司
主分类号: C04B37/02 分类号: C04B37/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 丁晓峰
地址: 518034 广东省深圳市福田*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 用于 导电 几何 结构 贴压到 陶瓷 基板上 方法 组件 材料
【权利要求书】:

1.一种用于将导电几何结构贴压到陶瓷基板上的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:

准备含有所述导电几何结构的流延片;

在所述陶瓷基板的表面上涂敷有机粘结剂;

利用所述有机粘结剂,将含有所述导电几何结构的所述流延片贴放到所述陶瓷基板的所述表面上;

对所述流延片和所述陶瓷基板进行压合;以及

对所述流延片和所述陶瓷基板进行烧结。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述有机粘结剂是增粘树脂或PVB粘性溶液。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,准备含有所述导电几何结构的流延片包括:在流延片上丝网印刷或选择性喷涂所述导电几何结构。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,准备含有所述导电几何结构的流延片包括:在第一流延片上丝网印刷或选择性喷涂所述导电几何结构,将第二流延片叠加在所述第一流延片上且使所述导电几何结构位于所述第一流延片和所述第二流延片之间,对所述第一流延片和所述第二流延片进行预压合。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述陶瓷基板是平面基板或曲面基板。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述压合是真空热压或温等静压。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,压合温度为25-70℃。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,压合压力为0.5-20Mpa。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,压合温度为70℃,压合压力为5Mpa。

10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述陶瓷基板由透波陶瓷材料构成。

11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述陶瓷基板的表面粗糙度为Ra=0.5-0.8。

12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述陶瓷基板的表面具有5-14%的孔隙率。

13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,孔的平均孔径为0.1-5微米。

14.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述导电几何结构中的金属选自:银、钯、金、铂、铜、钨、钼、及其合金。

15.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述流延片由介质陶瓷和介质玻璃构成,所述介质陶瓷的成分与所述陶瓷基板的成分相同或相近。

16.如权利要求1所述的方法,其特征在于,烧结温度为800-1600℃。

17.如权利要求1所述的方法,其特征在于,烧结压力为0.1-8Mpa。

18.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在对所述流延片和所述陶瓷基板进行压合之后且在对所述流延片和所述陶瓷基板进行烧结之前,将烧结辅助板覆盖在所述流延片上,以防止烧结变形。

19.一种流延片-陶瓷基板组件,其特征在于,根据权利要求1至18中任一项所述的方法来制备。

20.一种超材料,其特征在于,根据权利要求1至18中任一项所述的方法来制备。

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