[发明专利]通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法及校正外延炉台温场方法

权利要求书

1.通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，包括步骤，

A、提供一离子注入晶片；

B、将离子注入晶片升高至指定温度T₁，然后降温至常温；

C、检测离子注入晶片多个点的电阻率ρ；

D、根据电阻率与温度的换算关系确定外延炉台多个点的温度值。

2.根据权利要求1所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，所述离子注入晶片的离子注入厚度为自晶片表面起不大于2μm。

3.根据权利要求1所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，所述离子选自B⁺、BF₂⁺、P⁺、As⁺、Sb⁺、Ar⁺中的一种。

4.根据权利要求1所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，所述晶片为衬底或外延片。

5.根据权利要求4所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，所述衬底为N型衬底或P型衬底；所述的N型衬底掺杂有砷、磷或锑；所述的P型衬底掺杂有硼。

6.根据权利要求4所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，所述的外延片的外延层为P型或N型；所述的N型外延层掺杂有砷、磷或锑；所述的P型外延层掺杂有硼。

7.根据权利要求1所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，所述的温度T₁为1080℃-1200℃。

8.根据权利要求1所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，采用四探针电阻率测量仪测量选定点的电阻率。

9.根据权利要求1所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，所述离子注入晶片为外延片；所述离子注入外延层内，外延层厚度为2μm以上。

10.根据权利要求1所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，步骤B中，离子注入晶片升高至指定温度T₁，在该温度T₁保持1-5分钟。

11.根据权利要求1所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，步骤D中，电阻率与温度的换算关系为T=1130℃-(ρ-348)/a；T为外延炉台各点的温度，单位是℃；ρ为电阻率，单位是ohm·cm；a为系数，取值为0.5～1.5。

12.根据权利要求11所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，步骤D中，首先将外延炉台升温至指定温度，再测量温场三个以上位置的温度，并检测与该温场三个以上位置对应的晶片处的电阻率，代入公式T=1130℃-(ρ-348)/a，确定a值大小。

13.根据权利要求11所述的通过离子注入晶片检测外延炉台温场温度的方法，其特征在于，步骤D中，分别将外延炉台设定为三个以上不同的温度，测量温场同一位置的温度，并测量该温场位置对应的晶片处在不同温度下处理后的电阻率，代入公式T=1130℃-(ρ-348)/a，确定a值大小。

14.通过离子注入晶片校正外延炉台温场的方法，其特征在于，采用权利要求1-12任一权利要求所述的方法检测外延炉台温场多个点的温度；如存在超过设定温度范围的位置，则调整该位置的温场温度。