[发明专利]一种OLED显示装置及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light）Emitting Diode（简称：OLED)器件由于自发光、全固态、宽视角、响应快等优点，在平板显示产品中有巨大应用前景，甚至被认为是继液晶(Liquid Crystal Display，简称：LCD)、等离子(plasma display panel，简称：PDP)之后的新一代的平板显示产品。

以彩色OLED显示装置为例，包括对盒成型的封装基板和阵列基板。其中，如图1所示，封装基板10包括第二衬底1以及设置在所述第二衬底1上的黑矩阵膜层2以及彩色膜层3，其中，彩色膜层3包括R(红)、G(绿)、B(蓝)三种不同颜色的图案单元。阵列基板20包括第一衬底4以及设置在所述第一衬底4上的阳极层5、电致发光层6以及阴极层7等。封装基板和阵列基板之间填充填充物8对盒形成显示装置。现有的阳极以及阴极均由ITO形成，其传输电阻大，影响显示效果。

发明内容

本发明的实施例提供一种OLED显示装置及其制作方法，所述显示装置的阳极或阴极的传输电阻小，提升显示效果。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供了一种OLED显示装置，包括：对盒成型的阵列基板和封装基板，所述阵列基板包括第一衬底、阳极层、阴极层以及设置于阳极层和阴极层之间的电致发光层，其中，所述阳极层或所述阴极层设置在所述阵列基板的顶层；所述封装基板包括第二衬底以及石墨烯层，其中，所述石墨烯层设置在所述封装基板的最顶层；所述阵列基板和封装基板之间通过填充导电填充物对盒，以使得所述石墨烯层通过导电填充物与设置于阵列基板顶层的所述阴极层或阳极层电连接。

可选的，所述封装基板还包括：位于所述第二衬底和所述石墨烯层之间的保护层。

可选的，所述保护层形成有保护图案。

可选的，所述封装基板还包括：位于所述保护层和所述石墨烯层之间的隔垫物层，所述隔垫物层包括隔垫物图案。

可选的，所述隔垫物层与所述保护层材料相同。

可选的，所述隔垫物层与所述保护层一次成型。

本发明实施例提供了一种OLED显示装置的制作方法，包括：形成阵列基板；形成封装基板；将阵列基板和封装基板对盒；所述形成阵列基板具体包括：在第一衬底上形成阳极层或阴极层；所述形成封装基板具体包括：在第二衬底上形成石墨烯层；所述将阵列基板和封装基板对盒具体包括：在阵列基板和封装基板之间填充导电填充物，再将阵列基板和封装基板对盒，使得所述石墨烯层通过导电填充物与设置于阵列基板顶层的所述阴极层或阳极层电连接。

可选的，所述在第二衬底上形成石墨烯层包括：

在第三衬底上形成一层厚度为200）500nm的镍；

在900）1200℃的甲烷、氢气和氩气的混合气流中加热，再迅速冷却至室温；

用溶剂将镍腐蚀掉，以使得石墨烯薄膜漂浮在溶液表面，形成石墨烯层；

将所述石墨烯层转移至所述第二衬底的上表面。

可选的，所述将所述石墨烯层转移至所述第二衬底的上表面具体为：

石墨烯层漂浮在溶液表面，将封装基板置于悬浮有石墨烯层的溶液中，将石墨烯层转移至第二衬底的上表面。

可选的，在第三衬底上形成200）300nm的镍（且在1000℃的甲烷、氢气和氩气的混合气流中加热。

可选的，形成封装基板在第二衬底上形成石墨烯层之前还包括：在第二衬底上形成保护层。

可选的，所述形成封装基板在第二衬底上形成石墨烯层之前，且在第二衬底上形成保护层之后，还包括：在第二衬底上形成隔垫物层。

本发明实施例提供的一种OLED显示装置及其制作方法，所述OLED显示装置的封装基板的最顶层设置有石墨烯层，且通过导电填充物与阵列基板最顶层的阳极层或阴极层电连接，进而可以减小阵列基板上阳极层或阴极层的电阻，提升显示效果。

附图说明

图1为现有的OLED显示装置示意图；

图2为本发明实施例提供的一种OLED显示装置示意图；

图3为图2的OLED显示装置中的封装基板示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种OLED显示装置的封装基板上保护层图案化示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种OLED显示装置的封装基板示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种OLED显示装置的封装基板示意图；