[发明专利]包括凹陷有源区的半导体器件及形成该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，包括有源区的第一和第二区域；

器件隔离层，在所述有源区的所述第一和第二区域之间；

字线，在所述基板中；

位线，在所述字线上方；

第一电接触，在所述基板和所述位线之间，该第一电接触配置为电连接到所述有源区的所述第一区域；

第二电接触，相邻于所述位线的侧表面，该第二电接触配置为电连接到所述有源区的所述第二区域；以及

绝缘间隔物，在所述第一电接触和所述第二电接触两者上，

其中所述绝缘间隔物的第一部分交叠于所述第一电接触的位于所述器件隔离层的相邻部分之间的部分下方，

其中所述绝缘间隔物的在所述第二电接触的侧表面上的第二部分交叠于所述第二电接触的一部分下方，

其中所述器件隔离层和所述有源区的所述第一区域包括各自的限定接触孔的凹陷部分，该接触孔在其中包括所述第一电接触，并且

其中所述有源区的所述第一区域包括比所述器件隔离层的限定所述接触孔的最下凹陷部分低的最上表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述有源区的所述第二区域包括比所述器件隔离层的限定所述接触孔的所述最下凹陷部分高的顶表面。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘间隔物在所述接触孔的内侧表面上。

4.如权利要求3所述的半导体器件，还包括电容器，该电容器配置为通过所述第二电接触电连接到所述有源区的所述第二区域。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述第一电接触包括位线接触，该位线接触接触所述位线和所述有源区的所述第一区域；并且

所述第二电接触包括存储节点接触，该存储节点接触接触所述电容器和所述有源区的所述第二区域。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述绝缘间隔物将所述位线接触与所述存储节点接触分隔开，使得所述位线接触与所述存储节点接触电隔离。

7.如权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述器件还包括在所述第二电接触和所述有源区的所述第二区域之间的接触焊盘；

所述第一电接触包括位线接触，该位线接触接触所述位线和所述有源区的所述第一区域；

所述第二电接触包括存储节点接触，该存储节点接触接触所述电容器和所述接触焊盘；并且

所述接触焊盘接触所述有源区的所述第二区域。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述绝缘间隔物使所述位线接触与所述接触焊盘分隔开，使得所述位线接触与所述接触焊盘电隔离。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电接触的最下表面延伸得低于所述第二电接触的最下表面。

10.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：

在基板上形成有源区，所述有源区包括被器件隔离层间隔开的第一和第二区域；

在所述基板上形成绝缘层；

图案化所述绝缘层以形成暴露所述有源区的所述第一区域的一部分的接触孔；

使所述有源区的所述第一区域被所述接触孔暴露的部分凹陷；

在所述接触孔的内侧壁上形成绝缘间隔物；

在所述接触孔中形成第一电接触，所述第一电接触配置为电连接到所述有源区的所述第一区域；以及

穿过所述绝缘层形成第二电接触，所述第二电接触配置为电连接到所述有源区的所述第二区域，

其中所述绝缘间隔物在所述第一电接触和所述第二电接触两者上，

其中所述绝缘间隔物的第一部分交叠于所述第一电接触的位于所述器件隔离层的相邻部分之间的部分下方，

其中所述绝缘间隔物的在所述第二电接触的侧表面上的第二部分交叠于所述第二电接触的一部分下方。

11.如权利要求10所述的形成半导体器件的方法，其中使所述有源区的所述第一区域的部分凹陷包括各向同性蚀刻所述器件隔离层和所述有源区的所述第一区域，使得所述有源区的所述第一区域包括比所述器件隔离层的相邻最下被蚀刻部分低的最上表面。

12.如权利要求10所述的形成半导体器件的方法，其中所述绝缘间隔物将所述第一电接触与所述第二电接触分隔开。