[发明专利]一种NiO:Cu/ZnO异质pn结二极管在审

专利信息
申请号: 201310507639.4 申请日: 2013-10-23
公开(公告)号: CN104218098A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 李彤 申请(专利权)人: 天津职业技术师范大学
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300222 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 nio cu zno 异质 pn 二极管
【权利要求书】:

1.一种NiO:Cu/ZnO异质pn结二极管,至少包括pn结和欧姆接触电极,其特征在于:所述pn结是由p型NiO:Cu薄膜和n型ZnO薄膜而得到的异质pn结。

2.权利要求1所述NiO:Cu/ZnO异质pn结二极管的制备方法,其特征在于:用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Cu薄膜和ZnO薄膜形成异质pn结。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:本发明采用NiO:CuO陶瓷靶,磁控溅射工艺制备NiO:Cu薄膜,在此采用氧分压O2/(O2+Ar)=0%-100%。溅射前的腔体本底真空度优于3x10-4pa,溅射气压为0.5-2Pa,溅射功率为100-200W。在镀膜之前,预溅射5min以去除靶材表面的杂质。镀膜时间均为20-120min,衬底温度从RT变化至600℃。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:本发明采用ZnO陶瓷靶,磁控溅射工艺制备ZnO薄膜,在此采用氧分压O2/(O2+Ar)=0%-100%。溅射前的腔体本底真空度优于3x10-4pa,溅射气压为0.5-2Pa,溅射功率为50-150W。在镀膜之前,预溅射5min以去除靶材表面的杂质。镀膜时间均为20-120min,衬底温度从RT变化至600℃。

5.权利要求1或2或3或4所述NiO:Cu/ZnO异质pn结二极管的制备方法,其特征在于:采用溅射法或热蒸发法在pn结上制作电极;其中,NiO:Cu和ZnO表面沉积镍,铝或金电极。

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