[发明专利]一种NiO:Cu/ZnO异质pn结二极管在审
申请号: | 201310507639.4 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN104218098A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 李彤 | 申请(专利权)人: | 天津职业技术师范大学 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300222 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nio cu zno 异质 pn 二极管 | ||
1.一种NiO:Cu/ZnO异质pn结二极管,至少包括pn结和欧姆接触电极,其特征在于:所述pn结是由p型NiO:Cu薄膜和n型ZnO薄膜而得到的异质pn结。
2.权利要求1所述NiO:Cu/ZnO异质pn结二极管的制备方法,其特征在于:用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Cu薄膜和ZnO薄膜形成异质pn结。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:本发明采用NiO:CuO陶瓷靶,磁控溅射工艺制备NiO:Cu薄膜,在此采用氧分压O2/(O2+Ar)=0%-100%。溅射前的腔体本底真空度优于3x10-4pa,溅射气压为0.5-2Pa,溅射功率为100-200W。在镀膜之前,预溅射5min以去除靶材表面的杂质。镀膜时间均为20-120min,衬底温度从RT变化至600℃。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:本发明采用ZnO陶瓷靶,磁控溅射工艺制备ZnO薄膜,在此采用氧分压O2/(O2+Ar)=0%-100%。溅射前的腔体本底真空度优于3x10-4pa,溅射气压为0.5-2Pa,溅射功率为50-150W。在镀膜之前,预溅射5min以去除靶材表面的杂质。镀膜时间均为20-120min,衬底温度从RT变化至600℃。
5.权利要求1或2或3或4所述NiO:Cu/ZnO异质pn结二极管的制备方法,其特征在于:采用溅射法或热蒸发法在pn结上制作电极;其中,NiO:Cu和ZnO表面沉积镍,铝或金电极。
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