[发明专利]一种多电极电路系统在离子注入机中的应用

说明书

技术领域

本发明是一种多电极电路系统，调节离子注入机中通过多电极装置的离子束分布状况，进而达到提高离子束均匀性改善产品质量的目的。

背景技术

集成电路制造技术及工艺是关乎国计民生的战略性工程，对保障国家安全和增强综合国力具有重大战略意义，是一种高新技术产业。集成电路芯片制造概括的来讲就是将元器件做在极小半导体芯片上的过程。通常情况下，要完成集成电路芯片的制造过程需要数十种工艺设备的数百道工序。一条工艺线主要有曝光、刻蚀、离子注入、氧化、镀膜等工艺，这些工艺多次循环往复进行。离子注入技术与常规热掺杂工艺相比具有高精度的剂量均匀性与重复性，横向扩散小等优点。离子注入克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗，因此离子注入机广泛用于掺杂工艺，当代VLSI、ULSI等工艺重要特征之一就是“全离子注入”。离子注入对控制半导体的掺杂剖面，结深，保证器件各项电参数非常重要。

经过对低能大束流项目的指标参数和工艺要求分析，但由于工艺技术和工艺特点不同，为了提高离子束均匀性，得到更加优质的产品，所以需要调整离子束分布状况，通过多电极电路系统产生的高压到多电极装置上，产生横向可变的电场，从而影响通过此装置的离子束的分布，通过调节多电极装置各个电极的电场；可以使离子束均匀性达到改善的效果，从而得到更高质量的产品。

发明内容

本发明针对一种多电极电路系统在离子注入机中的应用，采用比较放大控制电路。

本发明通过以下技术方案实现：

1.图1多电极电路系统接线框图包括：PSI控制器(1)、多电极电路系统(2)、多电极装置(3)、辅助电路(4)、控制电路模块(5)、高压产生单元(6)、高压放大输出单元(7)。工作流程：首先PSI控制器(1)输出0-10V直流模拟量，进入多电极电路系统(2)的控制电路模块(5)，经过控制模块处理的信号，分成两路：一路反馈回PSI控制器(1)用于指示当前的输出状态；一路经过高压放大输出单元(7)产生高压送到多电极装置(3)，多电极装置(3)多个电极之间产生相应的所需要可变可调节的电场(图2多电极装置电场线示意图所示)，进而影响通过该装置的离子束的分布情况；从而达到控制离子束均匀性目的。通过调节多个电极之间的电压大小比例可以使离子束均匀性达到改善的效果。

2.如如权利要求1所述一种多电极电路系统在离子注入机中的应用，其特征在于，其中所述的多电极控制电路模块的设计如图3多电极电路系统单路控制电路原理图，控制电路输出的值的取值量程公式Aout=2*Ain-10；控制电路反馈公式Af=0.5*Aout+5。(此电路Ain为控制量输入；Aout为控制电路输出；Af为其反馈值)。为了使电路反馈信号有效可靠，利用Aout作为控制电路反馈输入及其反函数代换处理，从而达到监控电路电气性能的目的。

3.如权利要求1所述，其中所述的通过PSI控制器给多电极电源调节输出电压输出给多电极装置(3)，多个电极之间产生相应的所需要横向可调节的电场(图2多电极装置电场线示意图所示)，进而影响通过该装置的离子束的分布情况。进而达到提高产品质量的目的。

本发明具有如下优点：

为了提高离子束均匀性，得到更加优质的产品，所以需要得到合适的电子流，所以需要调整离子束分布状况，通过多电极电路系统产生的高压输到多电极装置上，产生横向可变的电场，从而影响通过此装置的离子束的分布，通过调节多电极装置各个电极的电场；可以使离子束均匀性达到改善的效果，从而得到更高质量的产品。

附图说明

图1多电极电路系统接线框图

图2多电极装置电场线示意图

图3多电极单路控制电路原理图

图4多电极装置结构示意图

具体实施方式

下面结合附图的具体实施例对本发明作进一步介绍，这些描述都是说明性的，本发明不限于此。本发明的范围仅由所附权利要求的范围所限定。