[发明专利]一种背照式CMOS传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种背照式CMOS传感器，其特征在于，所述传感器包括介质层和覆盖于该介质层上表面的器件层；所述介质层中设置有金属层，所述器件层中设置有连接盘，且该连接盘位于所述金属层的正上方；在所述器件层中，仅刻蚀去除形成所述连接盘所需的所述器件层以形成连接盘凹槽，而保留位于相邻的两连接盘之间的器件层，相邻的两连接盘之间的器件层中还设置有新增器件结构；

新增器件结构的周围还设置有隔离结构，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。

2.如权利要求1所述的背照式CMOS传感器，其特征在于，所述介质层中对应所述新增器件结构位置处还设置有金属连接线，所述新增器件结构与所述金属连接线连接。

3.如权利要求1所述的背照式CMOS传感器，其特征在于，所述连接盘的材质为铝。

4.如权利要求1所述的背照式CMOS传感器，其特征在于，所述器件层内还设置有若干个光电二极管。

5.如权利要求1所述的背照式CMOS传感器，其特征在于，所述介质层的材质为硅的氧化物。

6.如权利要求1所述的背照式CMOS传感器，其特征在于，所述连接盘贯穿所述器件层，且所述连接盘与所述器件层之间还设置有隔离层。

7.如权利要求6所述的背照式CMOS传感器，其特征在于，所述隔离层的材质为绝缘材料。

8.如权利要求1-7中任意一项所述的背照式CMOS传感器，其特征在于，所述器件层的材质为硅。

9.一种背照式CMOS传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一具有器件层和介质层的半导体结构，所述器件层覆盖所述介质层上表面，所述器件层中预设有若干连接盘区，对应每个所述连接盘区下方的介质层中均设置有金属层，且位于相邻的两连接盘区之间的器件层中还设置有新增器件结构；

去除位于所述连接盘区内的器件层并停止在所述介质层的上表面，形成连接盘凹槽；

制备一隔离层，该隔离层覆盖所述连接盘凹槽的底部及其侧壁；

部分去除位于所述连接盘凹槽底部的隔离层以及位于其下方的介质层至所述金属层的上表面，于剩余的介质层中形成连接线沟槽；

继续进行金属填充工艺，形成充满所述连接线沟槽和所述连接盘凹槽的填充金属层；

对所述填充金属层进行平坦化处理，形成连接线及通过该连接线与所述金属层连接的连接盘；

在所述器件层中，仅刻蚀去除形成所述连接盘所需的所述器件层以形成连接盘凹槽，而保留位于相邻的两连接盘之间的器件层；

新增器件结构的周围还设置有隔离结构，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。

10.如权利要求9所述的背照式CMOS传感器的制造方法，其特征在于，通过干法刻蚀去除位于所述连接盘区内的器件层。