[发明专利]多种类硅化物掩膜层的形成方法有效
| 申请号： | 201310505099.6 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103681308A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 周维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多种 类硅化物掩膜层 形成 方法 | ||
1.一种硅化物掩膜层的形成方法，应用于硅化物自对准生长工艺中，其特征在于，包括以下步骤：
提供一具有衬底的半导体结构，所述半导体结构上包括第一区域和第二区域；
沉积第一掩膜层覆盖所述衬底的上表面后，采用第一刻蚀工艺去除位于所述第一区域中的第一掩膜层；
沉积第二掩膜层覆盖所述半导体结构上表面及剩余第一掩膜层的上表面后，采用第二刻蚀工艺去除位于所述第二区域中第二掩膜层及部分第一掩膜层，以形成多种类硅化物掩膜层；
其中，所述第二掩膜层的材质为氧化硅。
2.根据权利要求1所述的一种硅化物掩膜层的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层材质为氧化硅及氮化硅。
3.根据权利要求1所述的一种硅化物掩膜层的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。
4.根据权利要求3所述的一种硅化物掩膜层的形成方法，其特征在于，采用第一掩膜板进行干法刻蚀去除位于所述第一区域中的第一掩膜层。
5.根据权利要求1所述的一种硅化物掩膜层的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺包括湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺。
6.根据权利要求5所述的一种硅化物掩膜层的形成方法，其特征在于，借助第二掩膜版采用干法刻蚀工艺去除第二区域的第二掩膜层后，再借助所述第二掩膜板使用湿法刻蚀去除该区域的部分第一掩膜层剩余结构。
7.根据权利要求1所述的一种硅化物掩膜层的形成方法，其特征在于，所述第一区域为需要形成有氧化硅掩膜层的区域，所述第二区域为半导体结构除第一区域以外的区域。
8.根据权利要求1所述的一种硅化物掩膜层的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
