[发明专利]一种高量子转换效率的堆叠式CMOS传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，所述传感器包括像素晶圆结构和逻辑晶圆结构，该逻辑晶圆结构通过一绝缘层与键合于所述像素晶圆结构的上方，其特征在于，所述传感器还包括金属互连线区，所述像素晶圆结构通过所述金属互连线区与所述逻辑晶圆结构连接；

其中，所述像素晶圆结构包括一阻挡层，该阻挡层覆盖于所述金属互连线的上表面。

2.如权利要求1所述的高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，其特征在于，所述像素晶圆结构中还包括感光层和受光层，所述受光层覆盖所述感光层的上表面。

3.如权利要求2所述的高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，其特征在于，所述感光层设置有光电二极管区和金属互连线区，所述阻挡层位于所述受光层中，且所述阻挡层位于所述金属互连线区的上方，所述金属互连线区贯穿所述感光层，且所述感光层中设置有若干个光电二极管。

4.如权利要求1所述的高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，其特征在于，所述金属互连线区中填充有铜。

5.如权利要求1所述的高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，其特征在于，所述像素晶圆结构中还包括像素布线层，所述像素布线层覆盖所述绝缘层的上表面。

6.如权利要求5所述的高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，其特征在于，所述像素布线层内设有若干个第一层间金属布线。

7.如权利要求1所述的高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，其特征在于，所述逻辑晶圆结构包括基底，逻辑布线层，所述逻辑布线层位于所述衬底的上表面。

8.如权利要求7所述的高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，其特征在于，所述逻辑布线层中设有若干个第二层间金属布线。

9.如权利要求3所述的高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，其特征在于，所述感光层的材质为硅。

10.如权利要求1所述的高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，其特征在于，所述像素晶圆结构的上表面还设置有若干颜色滤镜。

11.如权利要求10所述的高量子转换效率的堆叠式COMS传感器，其特征在于，每个所述颜色滤镜的上表面均设置有一微透镜。

12.如权利要求11所述的一种制备高量子转换效率的堆叠式COMS传感器的方法，其特征在于，若干块所述焊接板间隔排列在所述受光层的上表面的边缘，并围绕所述微透镜和所述阻挡层。

13.一种制备高量子转换效率的堆叠式COMS传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1，提供一具有像素晶圆结构的半导体器件，该像素晶圆结构中包括感光层和像素布线层，所述感光层覆盖所述像素布线层的上表面，且所述感光层设置有光电二极管区和金属互连线区；

步骤S2，制备一阻挡薄膜，该阻挡薄膜覆盖所述感光层的上表面；

步骤S3，去除位于所述光电二极管区上方的阻挡薄膜，于所述金属互连线区上方形成阻挡层。

14.如权利要求13所述的一种制备高量子转换效率的堆叠式COMS传感器的方法，其特征在于，采用光刻工艺和干法刻蚀工艺去除位于所述光电二极管区上方的阻挡薄膜。

15.如权利要求13所述的一种制备高量子转换效率的堆叠式COMS传感器的方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氮化硅。