[发明专利]生长钨前的硅片检测装置和方法

权利要求书

1.一种生长钨前的硅片检测装置，应用于设有工艺腔体的用于硅片生长钨的工艺机台中，所述检测装置包含传输腔体，其特征在于，还包含设置在所述传输腔体内用于将入射光线照射到硅片表面的光源，以及用于接收所述入射光线经所述硅片表面反射后的反射光线的接收器；

所述光源将所述入射光线照射到所述硅片表面，由所述硅片将所述入射光线反射至所述接收器，所述接收器根据接收到的所述反射光线的强弱判断所述硅片表面是否存在粘附阻挡层；

在所述接收器判定所述硅片表面不存在粘附阻挡层时，所述传输腔体停止运行；在所述接收器判定所述硅片表面存在粘附阻挡层时，由所述接收器根据所述反射光线的强度计算所述粘附阻挡层的厚度是否超过预设的厚度范围；

在所述粘附阻挡层的厚度超过预设的厚度范围时，所述传输腔体停止运行；在所述粘附阻挡层的厚度未超过预设的厚度范围时，由所述传输腔体将所述硅片传输到所述工艺腔体中进行钨的生长。

2.根据权利要求1所述的生长钨前的硅片检测装置，其特征在于，所述接收器还具有一个报警单元，在所述接收器判定所述硅片表面不存在粘附阻挡层时，或者在所述粘附阻挡层的厚度超过预设的厚度范围时，所述报警单元进行报警。

3.根据权利要求2所述的生长钨前的硅片检测装置，其特征在于，所述报警单元包含扬声器和/或警示灯。

4.根据权利要求1所述的生长钨前的硅片检测装置，其特征在于，所述粘附阻挡层为Ti/TiN，所述粘附阻挡层的预设的厚度范围根据不同技术节点的产品进行调整。

5.根据权利要求1所述的生长钨前的硅片检测装置，其特征在于，所述光源采用波长范围为450-850nm的白光光源。

6.一种生长钨前的硅片检测方法，采用如权利要求1所述的生长钨前的硅片检测装置，其特征在于，所述检测包括如下步骤：

步骤S1，于传输腔体内预设一光源和一接收器；

步骤S2，所述光源将所述入射光线照射到所述硅片表面，由所述硅片将所述入射光线反射至所述接收器；

步骤S3，所述接收器根据接收到的所述反射光线的强弱判断所述硅片表面是否存在粘附阻挡层；

步骤S4，在所述接收器判定所述硅片表面不存在粘附阻挡层时，所述传输腔体停止运行；在所述接收器判定所述硅片表面存在粘附阻挡层时，由所述接收器根据所述反射光线的强度计算所述粘附阻挡层的厚度是否超过预设的厚度范围；

步骤S5，在所述粘附阻挡层的厚度超过预设的厚度范围时，所述传输腔体停止运行；在所述粘附阻挡层的厚度未超过预设的厚度范围时，由所述传输腔体将所述硅片传输到所述工艺腔体中进行钨的生长。

7.根据权利要求6所述的生长钨前的硅片检测方法，其特征在于，所述接收器还具有一个报警单元，在所述接收器判定所述硅片表面不存在粘附阻挡层时，或者在所述粘附阻挡层的厚度超过预设的厚度范围时，所述报警单元进行报警。

8.根据权利要求7所述的生长钨前的硅片检测方法，其特征在于，所述报警单元包含扬声器和/或警示灯。

9.根据权利要求6所述的生长钨前的硅片检测方法，其特征在于，所述粘附阻挡层为Ti/TiN，所述粘附阻挡层的预设的厚度范围根据不同技术节点的产品进行调整。

10.根据权利要求6所述的生长钨前的硅片检测方法，其特征在于，所述光源采用波长范围为450-850nm的白光光源。