[发明专利]镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法有效
申请号: | 201310503710.1 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN103510140A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 陈宏;郝建民;林树长;任朋军;郝一鸣 | 申请(专利权)人: | 长安大学 |
主分类号: | C25D11/30 | 分类号: | C25D11/30 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710064 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镁合金 表面 氧化 制备 余辉 发光 陶瓷膜 方法 | ||
1.一种镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤一、以水为溶剂配制电解液,每升电解液中含磷酸氢二铵25g~35g,氟化氢铵5g~20g,硼砂10g~30g,纳米铝酸锶荧光粉30g~40g,然后将电解液置于电解槽中;
步骤二、将待处理的镁或镁合金置于步骤一所述电解液中作为阳极,不锈钢板作为阴极,控制电解液的温度为5℃~10℃,采用脉冲式微弧氧化电源,调节脉冲频率为300Hz~1000Hz,占空比为5%~45%,在电压为250V~450V的条件下电解20min~60min,在镁或镁合金表面生长一层均匀的长余辉发光陶瓷膜。
2.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤一中每升电解液中含磷酸氢二铵25g~35g,氟化氢铵8g~15g,硼砂15g~25g,纳米铝酸锶荧光粉30g~40g。
3.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤二中所述脉冲频率为400Hz~600Hz。
4.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤二中所述占空比为10%~20%。
5.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤二中所述电压为300V~400V。
6.根据权利要求1所述的镁或镁合金表面微弧氧化制备长余辉发光陶瓷膜的方法,其特征在于,步骤二中所述电解过程中对电解液进行超声波处理使得纳米铝酸锶荧光粉均匀悬浮于电解液中。
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