[发明专利]存储单元及其形成方法无效
| 申请号： | 201310503602.4 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103579255A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吕宏鸣;吴华强;黄灿;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
1.一种存储单元，其特征在于，包括：
衬底；
自组装单分子层，所述自组装单分子层位于所述衬底之上，所述自组装单分子层邻近所述衬底的一侧含有硅氧基，所述自组装单分子层远离所述衬底的一侧含有氨基；和
石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位于所述自组装单分子层之上。
2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述衬底为三氧化二铝、二氧化硅或氧化铪。
3.如权利要求1或2所述的存储单元，其特征在于，所述自组装单分子层为3-氨丙基三乙氧基硅烷自组装得到单分子层状结构。
4.如权利要求1-3所述的存储单元，其特征在于，所述自组装单分子层厚度为1-2nm。
5.如权利要求1-4所述的存储单元，其特征在于，所述石墨烯薄膜为单层石墨烯薄膜。
6.一种存储单元的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底之上形成自组装单分子层，所述自组装单分子层邻近所述衬底的一侧含有硅氧基，所述自组装单分子层远离所述衬底的一侧含有氨基；和
在所述自组装单分子层之上形成石墨烯薄膜。
7.如权利要求6所述的存储单元的形成方法，其特征在于，所述衬底为三氧化二铝、二氧化硅或氧化铪。
8.如权利要求6或7所述的存储单元的形成方法，其特征在于，所述自组装单分子层为3-氨丙基三乙氧基硅烷自组装得到单分子层状结构。
9.如权利要求6-8所述的存储单元的形成方法，其特征在于，所述自组装单分子层厚度为1-2nm。
10.如权利要求6-9所述的存储单元的形成方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜为单层石墨烯薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
