[发明专利]具有大电感值、高Q值的新型可调有源电感无效
| 申请号： | 201310503445.7 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103532517A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张万荣;高栋;谢红云;金冬月;丁春宝;赵彦晓;陈亮;付强;鲁东;周孟龙;张卿远;邵翔鹏;霍文娟 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H03H11/04 | 分类号： | H03H11/04 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 陈圣清 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 电感 新型 可调 有源 | ||
1.一种具有大电感值、高Q值的新型可调有源电感，包括输入输出端、偏置电流源和由共射极连接的第一晶体管、共基极连接的第三晶体管和共集电极连接的第二晶体管组成的Cascode结构，其特征在于，还包括有源电阻反馈和分流支路，所述有源电阻反馈包括并联的无源电阻和第二NMOS管，并且所述有源电阻反馈两端分别与所述第二晶体管的基极和所述第三晶体管的集电极连接；所述分流支路包括第一NMOS管，并且所述第一NMOS管的漏极与第三晶体管的发射极连接。
2.如权利要求1所述的具有大电感值、高Q值的新型可调有源电感，其特征在于，所述偏置电流源包括第一电流源和第二电流源，所述第一电流源包括一PMOS管，为所述共射极连接的第一晶体管和所述共基极连接的第三晶体管提供偏置电流；所述第二电流源包括第三NMOS管，为所述共集电极连接的第二晶体管提供偏置电流。
3.如权利要求2所述的具有大电感值、高Q值的新型可调有源电感，其特征在于，调节所述PMOS管和所述第三NMOS管的栅压来调节等效电流源电流的大小，实现对等效电感值和Q值的调节。
4.如权利要求3所述的具有大电感值、高Q值的新型可调有源电感，其特征在于，所述第二NMOS管工作在三极管区。
5.如权利要求4所述的具有大电感值、高Q值的新型可调有源电感，其特征在于，调节所述第一NMOS管的栅压，控制所述分流支路电流的大小，并且通过改变流经所述共射级连接的第一晶体管和所述共基极连接的第三晶体管的电流，实现对等效电感值的调节。
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