[发明专利]薄膜晶体管基板、其制备方法、以及包含其的显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

一基板；

一底栅极，位于该基板上；

一第一栅极绝缘层，位于该基板以及该底栅极上，并显露部分该底栅极；

一半导体层，位于该第一栅极绝缘层上，并显露部分该第一栅极绝缘层以及前述部分该底栅极；

一第二栅极绝缘层，位于该半导体层以及该第一栅极绝缘层上；

一侧栅极绝缘层，位于前述的部分该第一栅极绝缘层上并侧向覆盖该半导体层，且邻接该第二栅极绝缘层；

一顶栅极，形成于该第二栅极绝缘层上；以及

一侧栅极，位于该顶栅极以及前述部分该底栅极之间，且侧向覆盖该第一栅极绝缘层、以及该侧栅极绝缘层，该侧栅极电性连接至该顶栅极以及该底栅极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层与该侧栅极之间的距离为100至

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层具有一源极区、一漏极区、以及一通道。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

一保护层，形成于该第二栅极绝缘层与该顶栅极上，且该保护层与该第二栅极绝缘层具有多个开口，以显露部分的该顶栅极、该源极区、以及该漏极区；以及

多个导电电极，形成于所述开口显露的该顶栅极、该源极区、以及该漏极区上。

5.一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括：

(A)提供具有一底栅极的一基板，该底栅极形成于该基板上；

(B)形成一堆叠结构于该基板以及该底栅极上，并显露部分该底栅极，其中，该堆叠结构依序形成一第一栅极绝缘层、一半导体层、一第二栅极 绝缘层、以及一侧栅极绝缘层，该侧栅极绝缘层形成于该第一栅极绝缘层上并邻接该第二栅极绝缘层，且侧向覆盖该半导体层；

(C)形成一导电层以覆盖该第二栅极绝缘层、该侧栅极绝缘层、该第一栅极绝缘层、以及前述部分该底栅极；

(D)图案化该导电层，以于该第二栅极绝缘层上形成一顶栅极、以及于该堆叠结构的侧表面形成至少一侧栅极，其中，该顶栅极、该侧栅极、以及该底栅极彼此电性连接。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤(B)包括：

(b1)依序形成该第一栅极绝缘层、该半导体层、以及该第二栅极绝缘层于该基板以及该底栅极上；

(b2)移除部分该第一栅极绝缘层、该半导体层、以及该第二栅极绝缘层以显露部分该底栅极与该半导体层的侧边；

(b3)氧化显露的该半导体层的侧边以形成该侧栅极绝缘层。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，该半导体层与该侧栅极之间的距离为100至

8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，还包括：(E)进行一掺杂程序，于该半导体层中形成一源极区、一漏极区、以及一通道层。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：

(F)形成一保护层于该绝缘层以及该顶栅极上，移除部分该保护层以及部分该第二栅极绝缘层以形成多个开口，所述开口显露部分该顶栅极、该源极区以及该漏极区；以及

(G)沉积一导电电极于所述开口显露的该顶栅极、该源极区、以及该漏极区上。

10.一种显示面板，其包括：

一第一基板，其是如权利要求1所述的该薄膜晶体管基板；

一第二基板；以及

一显示介质，其位于该第一基板以及该第二基板之间。