[发明专利]质子辐照时掺杂效率的提高

权利要求书

1.用于掺杂半导体主体的方法，包括以下步骤：

借助质子辐照所述半导体主体；

借助电子辐照所述半导体主体；

在借助质子的辐照之后并且在借助电子的辐照之后回火所述半导体主体，以便借助扩散在空穴上积聚质子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体主体具有至少一个包括硅的区段。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在结构化所述半导体主体之后借助质子对所述半导体主体进行辐照和/或借助电子对所述半导体主体进行辐照。

4.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体主体是具有至少一个p掺杂的区域的结构化的半导体晶片。

5.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中在约350摄氏度至550摄氏度的范围内的温度的情况下实施所述半导体主体的回火。

6.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中在小于10小时的时间间隔内进行回火。

7.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中所述借助电子的辐照以下面的能量进行：在该能量的情况下电子在所述半导体主体中的最大穿透深度比所述半导体主体的厚度更大。

8.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中借助质子对所述半导体主体的辐照以下面的能量进行：在该能量的情况下质子在所述半导体主体中的最大穿透深度比所述半导体主体的厚度更小。

9.根据权利要求中8所述的方法，其中所述借助电子的辐照以下面的能量进行：在该能量的情况下电子在所述半导体主体中的最大穿透深度比质子在所述半导体主体中的最大穿透深度更大。

10.具有第一侧和第二侧的半导体器件，所述半导体器件在从所述第一侧至所述第二侧的方向上具有至少一个具有掺杂浓度分布的n掺杂的区段，所述区段具有第一区域和第二区域，所述第一区域具有基本上恒定的第一掺杂浓度，所述第二区域具有基本上恒定的第二掺杂浓度，其中在所述第一区域和所述第二区域之间，所述掺杂浓度分布具有最大值。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述基本上恒定的第一掺杂浓度是约3x10¹³ cm^-3 或更大。

12.根据权利要求10或11所述的半导体器件，其中所述基本上恒定的第二掺杂浓度比所述基本上恒定的第一掺杂浓度更小。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中基本上恒定的第二载流子浓度是基本上恒定的第一载流子浓度的50%或更多。

14.根据权利要求10至13中任一项所述的半导体器件，此外包括至少一个p掺杂区域，所述至少一个p掺杂区域与具有所述基本上恒定的第一掺杂浓度的第一区域紧邻地布置。

15.根据权利要求10至14中任一项所述的半导体器件，此外包括至少一个p掺杂区域，所述至少一个p掺杂区域与具有所述基本上恒定的第一掺杂浓度的第二区域紧邻地布置。

16.根据权利要求10至15中任一项所述的半导体器件，其中至少所述半导体主体包括硅。