[发明专利]一种n型外延衬底激光二极管

权利要求书

1.一种n型外延衬底激光二极管，其特征在于：包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上具有n-GaN外延衬底，在n-GaN外延衬底上具有发光结构;

其中，所述发光结构设置于n型外延衬底的中部区域，该发光结构由下至上依次具有n型界面层、发光层、p型界面层、p型注入层以及p电极；n-GaN外延衬底的外围区域上具有n电极;

其中，所述p型注入层为空穴注入层;

所述n电极环绕所述发光结构；所述n电极的厚度不大于n型界面层的厚度，并且n电极与n型界面层之间具有空隙。

2.如权利要求1所述的n型外延衬底激光二极管，其特征在于：

其中，n型界面层是n-Al_xIn_yGa_1-x-yN，0＜x≤1，0＜y≤1并且x+y≤1；

其中，发光层是超晶格结构的多量子阱层，该多量子阱层的材料为ZnO/Zn_1-aMg_aO/Zn_1-bAs_bO，0＜a≤0.2、0＜b≤0.3；

其中，p型界面层为p-Al_xIn_yGa_1-x-yP，0＜x≤1，0＜y≤1并且x+y≤1；

其中，p型注入层为p型NiO注入层；

其中，p电极为Au、Pt、Pt/Ni、Au/Ni或ITO（氧化铟锡）；n电极为In、Al、Ga、Ag或ITO。

3.如权利要求2所述的n型外延衬底激光二极管，其特征在于：

优选地，0＜x≤0.45，0＜y≤0.55；0＜a≤0.1、0＜b≤0.15。