[发明专利]一种叠层电极的制备方法有效
| 申请号: | 201310499937.3 | 申请日: | 2013-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN103594596A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
| 发明(设计)人: | 丛国芳 | 申请(专利权)人: | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 黄明哲 |
| 地址: | 213300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电极 制备 方法 | ||
1.一种叠层电极的制备方法,依次包括如下步骤:
(1)在半导体发光单元的表面蒸镀反射层;
(2)在反射层表面蒸镀阻挡层;
(3)在阻挡层表面溅射形成聚结抑制层;
(4)在聚结抑制层上溅射氧化屏蔽层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
其中,步骤(1)中,在真空度小于1×10-6托的条件下蒸镀所述反射层;首先将半导体发光单元置入蒸镀室中,抽真空至真空度小于1×10-6托时,启动蒸镀工艺,依次蒸镀TiO2层、Ti3O5层以及Ta2O5层;蒸镀结束后,获得三层结构的反射层;
在步骤(2)中,待反射层蒸镀结束后,取出已蒸镀反射层的半导体发光单元置入另一个蒸镀室中,抽真空至真空度小于1×10-6托时,启动阻挡层的蒸镀工艺,将导电的透明材料TiN、RuO、InO、MoO和IrO中的至少一种蒸镀在反射层的表面;
在步骤(3)中,将蒸镀完阻挡层的半导体单元置入溅射腔中,采用溅射工艺将金属铝(Al)溅射在阻挡层的表面,待形成一定厚度的金属铝层后,再在金属铝层的表面上同时溅射金属铝和另一种金属,所述另一种金属为Ag、Cu、Pd、Rh、Ni、Ru、或Pt,从而在金属铝层上形成金属铝和另一种金属的混合层,接着将半导体发光单元置入加热腔中进行加热,加热温度控制在300-400摄氏度,加热时间控制在1-2个小时;加热结束后,金属铝和另一种金属将形成铝基合金层;铝层和铝基合金层共同构成聚结抑制层;
在步骤(4)中,在聚结抑制层中的铝基合金层表面溅射氧化屏蔽层;氧化屏蔽层选自Au、Ni、Pd、Cu、Rh、Ru或Pt中的一种或两种;氧化屏蔽层用于防止聚结抑制层表面被氧化,而且还能用作叠层电极的表面保护层。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于:
TiO2层21、Ti3O5层2以及Ta2O5层3的厚度相同;
铝层的厚度小于铝基合金层的厚度,优选地,铝层41的厚度为铝基合金层42的厚度的1/2。
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