[发明专利]一种发光二极管结构在审
| 申请号： | 201310499936.9 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103594601A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管结构，自下而上依次具有铜衬底、GaN缓冲层、AlInN层、n-GaN层、多量子阱层、p-AGaN层、p-GaN层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
其中，GaN缓冲层的厚度为30-45nm，AlInN层的厚度为80-150nm，n-GaN层的厚度为3-5μm，多量子阱层厚度为30-80nm，p-AGaN层40-60nm，p-GaN层200-300nm；铜衬底的厚度为120-150微米。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：
优选地，GaN缓冲层的厚度为40nm，AlInN层的厚度为120nm，n-GaN层的厚度为4μm，多量子阱层厚度为60nm，p-AGaN层55nm，p-GaN层260nm；铜衬底的厚度为130微米。
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