[发明专利]片状纳米形貌和带状纳米形貌的可控六方相In2Se3的制备方法

权利要求书

1.一种片状纳米形貌的可控六方相In₂Se₃的制备方法，包括以下步骤：

A、将基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中各经过10-20分钟的超声清洗，然后用热氮气干燥后放入磁控溅射设备的溅射室；

B、在磁控溅射靶枪上安装纯度为99.99%的In₂Se₃靶，铟硒原子百分比为2:3，调整溅射靶枪到基片的距离为5-7厘米，将溅射室抽真空至气压小于2×10^-4Pa，再通入纯度为99.995%的氩气；调节溅射工作气压为0.4-0.7Pa，溅射功率为4-8W/cm²，衬底温度为350-370℃，待辉光稳定后，沉积70-80秒，即得到片状纳米形貌的可控六方相In₂Se₃。

2.根据权利要求1所述的一种片状纳米形貌的可控六方相In₂Se₃的制备方法，其特征在于：所述的步骤A中的基片为钠钙玻璃片。

3.一种带状纳米形貌的可控六方相In₂Se₃的制备方法，包括以下步骤：

A、将基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中各经过10-20分钟的超声清洗，然后用热氮气干燥后放入磁控溅射设备的溅射室；

B、在磁控溅射靶枪上安装纯度为99.99%的In₂Se₃靶，铟硒原子百分比为2:3，调整溅射靶枪到基片的距离为5-7厘米，将溅射室抽真空至气压小于2×10^-4Pa，再通入纯度为99.995%的氩气；调节溅射工作气压为0.4-0.7Pa，溅射功率为4-8W/cm²，衬底温度为350-370℃，待辉光稳定后，70-80秒，然后停止沉积；

C、将衬底温度升高至基片的软化温度，纵向加机械压力，使基片发生曲率半径为3～50m的弯曲，并持续8-12min；然后再次沉积200-250秒，即得到带状纳米形貌的可控六方相In₂Se₃。

4.根据权利要求3所述的一种带状纳米形貌的可控六方相In₂Se₃的制备方法，其特征在于：所述的步骤A中的基片为钠钙玻璃片，步骤C中的衬底温度为400～500℃。