[发明专利]具有排气孔的光感测器件有效
| 申请号: | 201310498884.3 | 申请日: | 2013-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN104051480A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
| 发明(设计)人: | 蔡宗翰;李国政;张简旭珂;郑志成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 气孔 光感测 器件 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年3月14日提交的标题为“Light Sensing Device with Outgassing Hole”的美国临时专利申请第61/783,314号的优先权,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明总体涉及集成电路,更具体地,涉及光感测器件。
背景技术
在高温热工艺之后,诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的一些光感测器件会遭受底部抗反射涂层(BARC)膜与衬底(例如,硅)表面的分层。在制造工艺期间的多余的水分和吸收的气体导致这种分层。人们期望避免这种分层的方法和结构。
发明内容
为解决上述问题,本申请提供了一种光感测器件,包括:衬底;光感测区,位于衬底上;光屏蔽层,位于衬底上方,光屏蔽层不覆盖光感测区;以及至少一个排气孔,形成为穿过光屏蔽层。
该光感测器件进一步包括位于衬底上方的抗反射涂层膜,其中,至少一个排气孔形成为至少部分穿过抗反射涂层膜。
其中,抗反射涂层膜包括高k介电材料。
其中,抗反射涂层膜包括多层。
其中,光屏蔽层包括铜、铝或钨。
其中,至少一个排气孔的宽度或直径至少为1μm。
其中,至少一个排气孔距离光屏蔽层的边缘至少1μm。
其中,光屏蔽层的宽度至少为10μm。
其中,至少一个排气孔具有线形、矩形、正方形、圆形或椭圆形。
其中,具有线形形状的四个排气孔围绕具有矩形形状的光感测区的四侧。
其中,多个圆形排气孔以线形图案沿光屏蔽层分布,且多个圆形排气孔彼此之间具有均匀的间隔。
此外,还提供了一种制造光感测器件的方法,包括:在具有光感测区的衬底上方形成光屏蔽层,其中,光屏蔽层不覆盖光感测区;以及形成穿过光屏蔽层的至少一个排气孔。
该方法进一步包括:在光屏蔽层和衬底之间形成抗反射涂层膜。
其中,形成的至少一个排气孔至少部分穿过抗反射涂层膜。
其中,抗反射涂层膜包括高k介电材料。
其中,抗反射涂层膜包括多层。
该方法进一步包括减薄衬底。
其中,光屏蔽层包括铜、铝或钨。
其中,形成的至少一个排气孔距离光屏蔽层的边缘至少1μm,至少一个排气孔的宽度或直径至少为1μm,且光屏蔽层的宽度至少为10μm。
此外,还提供了一种光感测器件,包括:衬底;光感测区,位于衬底上;抗反射涂层膜,位于衬底上方;光屏蔽层,位于抗反射涂层膜上方,光屏蔽层不覆盖光感测区;以及至少一个排气孔,形成为穿过光屏蔽层且至少部分穿过抗反射涂层膜,其中,至少一个排气孔距离光屏蔽层的边缘至少1μm。
附图说明
现将结合附图所进行的以下描述作为参考,其中:
图1A是根据一些实施例的示例性光感测器件的示意图;
图1B是根据一些实施例的图1A中的示例性光感测器件的截面图;
图1C是根据一些实施例的图1A中的示例性光感测器件的一部分的示意图;
图2是根据一些实施例的另一示例性光感测器件的示意图;以及
图3是根据一些实施例制造图1A中的示例性光感测器件的方法的流程图。
具体实施方式
下面,详细讨论本发明各实施例的制造和使用。然而,应该理解,本发明提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的发明概念。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造和使用本发明的具体方式,而不用于限制本发明的范围。
另外,本发明可以在各个实例中重复参考数字和/或字符。这种重复用于简化和清楚的目的,并且其本身不表示所述各个实施例和/或配置之间的关系。此外,在本发明中,一个部件形成在、连接至和/或偶接至另一个部件上可以包括两个部件以直接接触的方式形成的实施例,也可以包括额外的部件可以形成在两个部件之间使得两个部件不直接接触的实施例。另外,在此可以使用例如“下面的”、“上面的”、“水平的”、“垂直的”、“在....之上”、“在…上面”、“在…之下”、“在…下面”、“在…上方”、“在…下方”、“在…顶部”、“在…底部”等以及其衍生词(如“水平地”、“向下地”、“向上地”等)这样的空间关系术语,以容易地描述如本发明中所示的一个部件与另一个部件之间的关系。空间关系术语旨在覆盖包括部件的器件的不同方位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





