[发明专利]铜硅合金溅镀靶材及铜硅合金记录层在审
| 申请号： | 201310498740.8 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104575532A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 麦宏全;罗尚贤;廖浩嘉;黄品富;林守贤 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B7/2433 | 分类号： | G11B7/2433;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 合金 溅镀靶材 记录 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜硅合金溅镀靶材，其由CuaSibMc合金组成，其中，M为镍、铬、钼或钛，a为0.55至0.93，b为0.05至0.25，c为0.02至0.20，且a、b及c的总和为1。
2.如权利要求1所述的铜硅合金溅镀靶材，其中，b为0.05至0.12。
3.如权利要求2所述的铜硅合金溅镀靶材，其中，c为0.15至0.20。
4.如权利要求3所述的铜硅合金溅镀靶材，其中，a为0.70至0.80。
5.一种铜硅合金记录层，其由CuaSibMc合金组成，其中，M为镍、铬、钼或钛，a为0.55至0.93，b为0.05至0.25，c为0.02至0.20，且a、b及c的总和为1。
6.如权利要求5所述的铜硅合金记录层，其中，所述铜硅合金记录层的相转变温度为150℃至320℃。
7.如权利要求5所述的铜硅合金记录层，其中，b为0.05至0.12。
8.如权利要求7所述的铜硅合金记录层，其中，c为0.15至0.20。
9.如权利要求8所述的铜硅合金记录层，其中，a为0.70至0.80。
10.如权利要求9所述的铜硅合金记录层，其中，所述铜硅合金记录层的相转变温度为200℃至250℃。
11.如权利要求5至10中任一项所述的铜硅合金记录层，其中，所述铜硅合金记录层的厚度为2纳米至50纳米。
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