[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

离子源，具备等离子体室、用于在所述等离子体室生成等离子体的等离子体源、及用于从所述等离子体室提取具有长条形射束剖面的离子束的提取电极系统；

处理室，与所述离子源相邻设置，并从所述提取电极系统接收所述离子束，具备用于使基板沿通过离子束照射区域的基板移动路径移动的基板移动机构；及

控制部，用于控制所述离子源的离子束生成条件，

所述离子束具有根据所述离子束生成条件决定的射束电流，所述离子束从所述提取电极系统保持所述射束电流而直接照射到在所述离子束照射区域移动中的基板上。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束生成条件包括所述提取电极系统的提取条件和/或所述等离子体源的等离子体控制条件。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束生成条件包括所述提取电极系统的提取电压。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制部在对基板的给定的注入剂量及给定的基板移动速度下，控制所述离子束生成条件来调整所述射束电流。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述基板移动机构使基板实质上以恒定的速度移动。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制部通过变更所述等离子体源的等离子体控制条件来控制所述离子束的离子组成。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述等离子体源具备：气体供给源，用于将含有PH3、B2H6或H2的源气体供给到所述等离子体室；及高频等离子体激发源，用于从所述源气体生成等离子体。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述等离子体室具有彼此相邻的多个长条形出口开口，各长条形出口开口沿与所述移动路径垂直的方向形成，

所述提取电极系统具有与所述多个长条形出口开口对应的多个狭缝，各狭缝是为了提取具有所述长条形射束剖面的离子束而设置的，

沿所述移动路径的方向上的所述离子束照射区域的宽度比所述长条形射束剖面在所述方向上的宽度宽。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述等离子体源构成为在所述等离子体室生成含有应注入到基板上的离子种类的单体离子和二聚离子的等离子体，

所述提取电极系统构成为从所述等离子体室提取含有单体离子和二聚离子的离子束，

所述离子束照射区域容许接收单体离子和二聚离子这二者。

10.一种离子注入方法，其特征在于，具备如下工序：

控制离子源的离子束生成条件；

通过所述离子源的提取电极系统而提取离子束；

从所述离子源将所述离子束接收至处理室；及

使基板移动以通过所述处理室的离子束照射区域，

所述离子束具有根据所述离子束生成条件决定的射束电流，所述离子束从所述提取电极系统保持所述射束电流而直接照射到在所述离子束照射区域移动中的基板上。

11.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

离子源，具备用于提取离子束的提取电极系统；及

处理室，从所述离子源接收所述离子束，构成为使基板通过离子束照射区域，

所述离子束具有根据所述离子源的离子束生成条件决定的特性，并且在基板通过所述离子束照射区域的期间，从所述提取电极系统至所述离子束照射区域保持所述特性而直接照射到在所述离子束照射区域移动中的基板上。

12.一种离子注入方法，其特征在于，具备如下工序：

通过离子源的提取电极系统而提取离子束；

从所述离子源将所述离子束接收至处理室；及

使基板通过所述处理室的离子束照射区域，

所述离子束具有根据所述离子源的离子束生成条件决定的特性，并且在基板通过所述离子束照射区域的期间，从所述提取电极系统至所述离子束照射区域保持所述特性而直接照射到在所述离子束照射区域移动中的基板上。