[发明专利]一种（220）取向的铜铟镓硒薄膜制备方法

权利要求书

1.一种（220）取向的铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：

A：清洗基片：将基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中各经过10-20分钟的超声清洗，然后用热氮气干燥后放入磁控溅射设备的溅射室；

B：预溅射：在磁控溅射靶枪上安装纯度为99.99%的复合铜铟镓硒靶，复合铜铟镓硒靶中各元素的化学计量比为Cu:In:Ga:Se=1:0.7:0.3:2，调整溅射靶枪到基片的距离为4-8厘米，将溅射室抽真空至气压小于2×10^-4Pa，再通入纯度为99.995%的氩气；调节溅射功率为4-6W/cm²，基片温度为320-380℃，待辉光稳定后，对复合铜铟镓硒靶预溅射8-15分钟，以除去其表面污染物；

C：溅射沉积薄膜：保持溅射功率为4-8W/cm²，基片温度为320-380℃，并将氩气气压调节为1.0～4.0Pa进行10-15分钟的溅射；之后将氩气气压降低至0.5Pa，并在基片上施加20～30V的偏压，进行2-2.5小时的溅射，即得到具有（220）取向的铜铟镓硒薄膜。

2.根据权利要求1中所述的一种（220）取向的铜铟镓硒薄膜制备方法，其特征在于：所述的步骤A中所采用的基片为钠钙玻璃，钼涂层玻璃或者钼涂层聚酰亚胺树脂玻璃。

3.根据权利要求1中所述的（220）取向的铜铟镓硒薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤B中对复合铜铟镓硒靶预溅射时，还在基片上施加40-60V的偏压，以同时除去基片的表面污染物。