[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

说明书

技术领域

本申请主张基于2012年11月13日申请的日本专利申请第2012-249662号的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。

本发明涉及一种离子注入，更详细而言，涉及一种离子注入装置及离子注入方法。

背景技术

在一种离子注入装置中连接有离子源及其电源，以使具有较小射束电流量的离子束从离子源引出（例如，参考专利文献1）。该装置中能够改变离子源和电源的连接，以使具有较大射束电流量的离子束从离子源引出。

另一种离子注入装置具有离子源、加速管及连接它们的电源的电气电路，以使以较高的离子能量向靶注入离子（例如参考专利文献2）。该电气电路上设有用于切换连接的选择开关，以便在离子能量较低时也能够注入离子。

专利文献1：日本特开昭62-122045号公报

专利文献1：日本特开平1-149960号公报

如上所述尝试稍微扩大离子注入装置的运转范围。但就超过现有类型的运转范围的扩张而言，几乎没有可行性建议。

离子注入装置通常被分为高电流离子注入装置、中电流离子注入装置及高能量离子注入装置这3个类型。实际应用中所需的设计上的要件按类型有所不同，因此一种类型的装置与另一种类型的装置，例如关于射束线，可具有大不相同的结构。因此，认为在离子注入装置的用途（例如半导体制造工艺）上，类型不同的装置不具有互换性。即，在一种特定离子注入处理中选择使用特定类型的装置。由此，为了进行各种离子注入处理，可能需要具备多种离子注入装置。

发明内容

本发明的一种方式所例示的目的之一为提供一种能够广泛使用的离子注入装置及离子注入方法，例如，以1台离子注入装置实现高电流离子注入装置及中电流离子注入装置这两台装置的作用的离子注入装置及离子注入方法。

根据本发明的一种方式，提供一种离子注入装置，其中，该离子注入装置具备：离子源，生成离子并作为离子束引出；注入处理室，用于向被处理物注入所述离子；及射束线装置，提供用于从所述离子源向所述注入处理室输送所述离子束的射束线，所述射束线装置供给在所述注入处理室具有超过所述被处理物的宽度的射束照射区域的所述离子束，所述注入处理室具备机械式扫描装置，该机械式扫描装置对所述射束照射区域机械式地扫描所述被处理物，所述射束线装置根据注入条件在多个注入设定结构中的任一个结构下动作，所述多个注入设定结构包括第1注入设定结构及第2注入设定结构，其中，第1注入设定结构适合输送用于向所述被处理物进行高剂量注入的低能量/高电流射束，第2注入设定结构适合输送用于向所述被处理物进行低剂量注入的高能量/低电流射束，所述射束线装置构成为，在所述第1注入设定结构和所述第2注入设定结构下，所述射束线中成为基准的射束中心轨道自所述离子源至所述注入处理室相同。

根据本发明的一种方式，提供一种离子注入装置，其具备：离子源，生成离子并作为离子束引出；注入处理室，用于向被处理物注入所述离子；及射束线装置，提供用于从所述离子源向所述注入处理室输送所述离子束的射束线，其中，所述离子注入装置构成为协同所述被处理物的机械扫描对所述被处理物照射所述离子束，所述射束线装置根据注入条件在多个注入设定结构中的任一结构下动作，所述多个注入设定结构包括第1注入设定结构及第2注入设定结构，其中，第1注入设定结构适合输送用于向所述被处理物进行高剂量注入的低能量/高电流射束，第2注入设定结构适合输送用于向所述被处理物进行低剂量注入的高能量/低电流射束，所述射束线装置在所述第1注入设定结构和所述第2注入设定结构下构成为，所述射束线中成为基准的射束中心轨道自所述离子源至所述注入处理室相同。

根据本发明的另一种方式，提供一种离子注入方法，其中，具备如下工序：关于射束线装置，在包含适合输送用于向被处理物进行高剂量注入的低能量/高电流射束的第1注入设定结构和适合输送用于向所述被处理物进行低剂量注入的高能量/低电流射束的第2注入设定结构的多个注入设定结构中选择符合所给的离子注入条件的任一个注入设定结构；在所选注入设定结构下使用所述射束线装置，沿着射束线中成为基准的射束中心轨道自离子源至注入处理室输送离子束；及协同所述被处理物的机械扫描向所述被处理物照射所述离子束，成为所述基准的射束中心轨道在所述第1注入设定结构和所述第2注入设定结构下相同。

另外，在方法、装置、系统、程序等之间相互置换以上构成要件的任意组合或本发明的构成要件和表现形式，作为本发明的方式同样有效。

发明效果：