[发明专利]一种发光二极管打线电极的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管打线电极的制造方法，依次包括如下步骤：

（1）自下而上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；

（2）在n型半导体层上形成透明的平坦电极；

（3）在平坦电极上蒸镀合金金属层；

（4）对合金金属层进行光刻、刻蚀工艺，从而将合金金属层形成为凸块电极；

（5）对凸块电极的上表面以及所有侧表面进行粗化处理，从而形成凸块粗化电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

其中，凸块粗化电极包括一个第一凸块粗化电极，多个第二凸块和多个第三凸块粗化电极；

其中，第一凸块粗化电极位于发光二极管打线电极的中心，多个第二凸块粗化电极位于以第一凸块粗化电极为中心的相互垂直的交叉线上，从而与第一凸块粗化电极形成十字形；多个第三凸块粗化电极位于正方形的发光二极管打线电极的四个角落；

其中，第一凸块粗化电极和多个第三凸块粗化电极的俯视平面形状为正方形，第一凸块粗化电极边长为第三凸块粗化电极边长的两倍；多个第二凸块粗化电极的俯视平面形状为长方形，其长等于第一凸块粗化电极的边长，其宽等于第三凸块粗化电极的边长；其中，第一凸块粗化电极、第二凸块粗化电极、第三凸块粗化电极的高度相同。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：

在步骤（5），采用氢氟酸等化学药品对凸块电极的上表面以及所有侧表面进行腐蚀，从而在凸块电极的上表面以及所有侧表面形成表面粗化结构，该表面粗化结构的表面粗糙度在10nm以上、15nm以下，优选为12nm。