[发明专利]一种N型绝缘栅双极型晶体管结构有效
| 申请号： | 201310496732.X | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103618001A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;戴伟楠;吴逸凡;徐申;祝靖;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 结构 | ||
1.一种N型绝缘栅双极型晶体管结构，包括兼做集电区的P型掺杂硅衬底(2)，在P型掺杂硅衬底(2)下方设有集电极金属(1)，在P型掺杂硅衬底(2)上方设有N型掺杂硅缓冲层(3)，在N型掺杂硅缓冲层(3)上方设有N型轻掺杂硅外延层(4)，在N型轻掺杂硅外延层(4)内设有P型掺杂半导体区(7)，在P型掺杂半导体区(7)中设有N型重掺杂半导体区(8)和P型重掺杂半导体区(9)，其特征在于，在N型轻掺杂硅外延层(4)内还设有P型柱（5），在P型柱(5)和N型轻掺杂硅外延层(4)之间设有介质层(6)，在P型柱(5)中也设有P型重掺杂半导体区(9)，在N型轻掺杂硅外延层(4)上方设有栅氧化层(10)，在栅氧化层(10)上方设有多晶硅栅(11)，并且，所述多晶硅栅(11)始于介质层(6)的上方并止于与介质层(6)相邻的N型重掺杂半导体区(8)的上方，在多晶硅栅(11)上方设有氧化层(12)，在氧化层(12)上方设有发射极金属(13)，N型重掺杂半导体区(8)和P型重掺杂半导体区(9)与发射极金属(13)电连接。
2.根据权利要求1所述的一种N型绝缘栅双极型晶体管结构，其特征在于，介质层(6)的宽度范围为0.5um至5um，介质层(6)的深度范围为10um至100um；介质层(6)采用的材料为二氧化硅或氮化硅等。
3.根据权利要求1所述的一种N型绝缘栅双极型晶体管结构，其特征在于，P型柱(5)的掺杂浓度范围为1e13cm-3至5e16cm-3；P型柱(5)的宽度范围为1um至10um；P型柱(5)的深度范围为1um至100um。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310496732.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种酯化分离塔及其制造方法
- 下一篇：一种固相下提纯粗稀土金属的方法
- 同类专利
- 专利分类
