[发明专利]监控电子束扫描仪缺陷检出率的方法

权利要求书

1.一种监控电子束扫描仪缺陷检出率的方法，包括如下步骤：

a)、在CMOS晶圆的第一区域建立三个测试单元，分别为第一、第二和第三测试单元，每一所述测试单元分别包括NMOS区和PMOS区；

b)、在所述第一测试单元垂直形成多个第一连接孔并在其中填充金属，在所述第二测试单元垂直形成多个第二连接孔并在其中填充金属，在所述第三测试单元垂直形成多个第三连接孔并在其中填充金属；其中，所述第一连接孔底端连接所述PMOS区，所述第二连接孔底端连接所述NMOS区的有源区，所述第三连接孔底端连接所述NMOS区的栅极区；

c)、以电子束扫描仪分别扫描所述第一、第二和第三测试单元，分别通过与所述第一、第二和第三连接孔的标准灰度的比对来检测所述第一、第二和第三连接孔并记录各自的检出率；

d)、更换下一枚CMOS晶圆，回到所述步骤a)重复进行。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域位于所述CMOS晶圆的切割道，所述步骤a)具体包括：在所述切割道定义出各所述测试单元，并在各所述测试单元上分别形成P肼和N肼，对所述P肼进行N型掺杂以形成所述NMOS区，对所述N肼进行P型掺杂以形成所述PMOS区。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤b)具体包括步骤：

b1)、在各所述测试单元表面分别沉积一金属硅化物阻挡层；

b2)、对位于各所述测试单元PMOS区和NMOS区的金属硅化物阻挡层进行光刻以去除；

b3)、在各所述测试单元表面分别沉积一介电层；

b4)、光刻所述第一测试单元N肼区上方的介质层以形成所述第一连接孔，光刻所述第二测试单元Ｐ肼区上方的介质层以形成所述第二连接孔，光刻所述第三测试单元NMOS区的栅极区上方的介质层以形成所述第三连接孔，随后分别在所述第一、第二和第三连接孔中填充金属。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层材料包括氧化硅和氮化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一连接孔图像灰度高于所述第二连接孔图像灰度，所述第二连接孔图像灰度高于所述第三连接孔图像灰度。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述CMOS晶圆为任一在线晶圆，用于制备SRAM器件。