[发明专利]一种平台型发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种平台型发光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：

（1）在衬底上依次形成第一底透明导电层、底粗化层和第二底透明导电层；

（2）在第二底透明导电层上依次形成p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层；

（3）采用刻蚀工艺，将p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层的部分区域去除，直至完全露出第二底透明导电层的上表面为止；

（4）在n型半导体层上依次形成第一顶透明导电层、顶粗化层和第二顶透明导电层；

（5）在第二底透明导电层露出的上表面上以及在第二顶透明导电层的表面上分别形成底电极和顶电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

其中，步骤（1）的工艺过程为：在衬底1上淀积透明导电材料，对透明导电材料进行光刻、刻蚀后形成柱形凸起；对该凸起进行高温加热，从而将凸起熔化，熔化后的凸起自然收缩成半球形，然后经冷却后形成半球形的第一底透明导电层；然后采用化学腐蚀工艺在第一底透明导电层的球形表面以及第一底透明导电层之间形成底粗化层，然后在底粗化层的上表面淀积透明导电材料，经平坦化后得到第二底透明导电层；

其中，步骤（3）的刻蚀工艺中，优选采用干式刻蚀工艺（例如等离子体刻蚀）在垂直方向上将p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层的部分区域去除，从而能够将p型半导体层、半导体发光层和n型半导体层形成陡直的侧面，并且在刻蚀终点检出以后，继续进行过刻蚀工艺，以确保第二底透明导电层的第一区域的上表面完全露出；

其中，步骤（4）的工艺过程为：在n型半导体层上淀积透明导电材料，对透明导电材料进行光刻、刻蚀后形成柱形凸起；对该凸起进行高温加热，从而将凸起熔化，熔化后的凸起自然收缩成半球形，然后经冷却后形成半球形的第一顶透明导电层；然后采用化学腐蚀工艺在第一顶透明导电层的球形表面以及第一顶透明导电层之间形成顶粗化层，然后在顶粗化层的上表面淀积透明导电材料，经平坦化后得到第二顶透明导电层。