[发明专利]一种太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：

（1）提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层；

（2）对第一过渡金属层的上表面进行粗化；

（3）在第一过渡金属层的上表面上溅镀金属材料层，然后对该金属材料层的上表面进行粗化，从而形成粗化金属层；

（4）在粗化金属层的上表面形成p型半导体层，然后对p型半导体层的上表面进行粗化处理；

（5）在p型半导体层的上表面上形成n型半导体层，然后对n型半导体层的上表面进行粗化处理；

（6）在n型半导体层的上表面上依次形成第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

形成第一过渡金属层、粗化金属层、第二过渡金属层的工艺为金属溅镀工艺或者金属电镀工艺；对表面进行粗化的工艺为喷砂工艺、化学药液刻蚀工艺或者等离子体干法刻蚀工艺。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：

第一粗化面的粗糙度介于1微米至200微米之间；第二粗化面的粗糙度介于0.05微米至120微米之间，第三粗化面的粗糙度介于0.05微米至120微米之间，第四粗化面的粗糙度介于0.1微米至120微米之间。

n型半导体层的厚度远小于p型半导体层的厚度，例如，n型半导体层厚度为p型半导体层厚度的1/12至1/8，优选为1/10或1/9。