[发明专利]OLED阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201310492730.3 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN103500751A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 吴长晏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种OLED阵列基板制作方法,其特征在于,在制作阵列基板的像素单元中各子像素的有机发光层时按各子像素的有机发光层材料的前线轨道能级由低到高依序制作,且各子像素的有机发光层材料的载流子类型相同,每个所述像素单元包括至少两个子像素。
2.如权利要求1所述的OLED阵列基板制作方法,其特征在于,所述至少两个子像素中,使得至少一个子像素的有机发光层材料为荧光性材料,其余的子像素的有机发光层材料为磷光性材料。
3.如权利要求1或2所述的OLED阵列基板制作方法,其特征在于,每个所述像素单元包括三个子像素:第一子像素、第二子像素和第三子像素,且满足:第一子像素的有机发光层材料的前线轨道能级小于第二子像素的有机发光层材料的前线轨道能级,第二子像素的有机发光层材料的前线轨道能级小于第三子像素的有机发光层材料的前线轨道能级。
4.如权利要求3所述的OLED阵列基板制作方法,其特征在于,所述三个子像素的有机发光层材料为N型材料,第一子像素的有机发光层材料的最低未占轨道能级小于第二子像素的有机发光层材料的最低未占轨道能级,第二子像素的有机发光层材料的最低未占轨道能级小于第三子像素的有机发光层材料的最低未占轨道能级。
5.如权利要求3所述的OLED阵列基板制作方法,其特征在于,所述三个子像素的有机发光层材料为P型材料,第一子像素的有机发光层材料的最高已占轨道能级小于第二子像素的有机发光层材料的最高已占轨道能级,第二子像素的有机发光层材料的最高已占轨道能级小于第三子像素的有机发光层材料的最高已占轨道能级。
6.如权利要求3所述的OLED阵列基板制作方法,其特征在于,所述第一子像素和第二子像素各自的有机发光层材料为磷光性材料,第三子像素的有机发光层材料为荧光性材料。
7.一种OLED阵列基板,包括形成在基板上的栅线和数据线,以及由所述栅线和数据线限定的多个像素单元,其特征在于,每个所述像素单元包括至少两个子像素,所述至少两个子像素按各自的有机发光层材料的前线轨道能级高低依序排列,且各自的有机发光层材料的载流子类型相同。
8.如权利要求7所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述至少两个子像素中,至少一个子像素的有机发光层材料为荧光性材料,其余的子像素的有机发光层材料为磷光性材料。
9.如权利要求7或8所述的OLED阵列基板,其特征在于,至少两个子像素为三个子像素:第一子像素、第二子像素和第三子像素,第一子像素的有机发光层材料的前线轨道能级小于第二子像素的有机发光层材料的前线轨道能级,第二子像素的有机发光层材料的前线轨道能级小于第三子像素的有机发光层材料的前线轨道能级。
10.如权利要求9所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述三个子像素的有机发光层材料为N型材料,第一子像素的有机发光层材料的最低未占轨道能级小于第二子像素的有机发光层材料的最低未占轨道能级,第二子像素的有机发光层材料的最低未占轨道能级小于第三子像素的有机发光层材料的最低未占轨道能级。
11.如权利要求9所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述三个子像素的有机发光层材料为P型材料,第一子像素的有机发光层材料的最高已占轨道能级小于第二子像素的有机发光层材料的最高已占轨道能级,第二子像素的有机发光层材料的最高已占轨道能级小于第三子像素的有机发光层材料的最高已占轨道能级。
12.如权利要求9所述的OLED阵列基板,其特征在于,所述第一子像素和第二子像素各自的有机发光层材料为磷光性材料,第三子像素的有机发光层材料为荧光性材料。
13.一种OLED显示装置,其特征在于,包括如权利要求7~12中任一所述的OLED阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的