[发明专利]基于硅基的光无源集成器件设计平台及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于第四代移动通信（TD-LTE）技术的光纤通讯的元件，更具体的说，本发明主要涉及一种基于硅基的光无源集成器件设计平台及其制作方法。

背景技术

目前公众所知的光无源集成电路芯片的制作方法采用石英作为衬底，在石英表面镀钛，再在上面沉积和光刻出所需要的光路；然而，前述的工艺与标准的微电子制造工艺不同，需要大量采用特种工艺设备，因而需要增加巨额的特种设备投入，不利于光无源集成电路芯片生产成本的控制，同时石英镀钛面上的光路由于缺乏缓冲介质，实际使用时会对光波的传输造成衰减现象，因而有必要针对光无源集成电路芯片的结构及其制造方法做进一步的研究和改进。

发明内容

本发明的目的之一在于针对上述不足，提供一种基于硅基的光无源集成器件设计平台及其制作方法，以期望解决现有技术中石英衬底的光无源集成电路芯片生产升本高，且在进行光波引导时易造成其衰减等技术问题。

为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：

本发明一方面提供了一种基于硅基的光无源集成器件设计平台，包括芯片衬底，所述芯片衬底的材质为硅基材料；所述芯片衬底的上方涂覆有下缓冲层，所述下缓冲层的上方还涂覆有上缓冲层，所述下缓冲层与上缓冲层之间还设有芯层；所述芯层由下缓冲层与上缓冲层完全包覆；所述芯层上设有呈图案状的引导光路。

作为优选，进一步的技术方案是：所述下缓冲层与上缓冲层的厚度均为10至20微米。

更进一步的技术方案是：所述芯层厚度为1至5微米。

更进一步的技术方案是：所述下缓冲层与上缓冲层的材质为四乙氧基硅烷。

更进一步的技术方案是：所述芯层的材质为氮氧化硅。

本发明另一方面提供了一种上述基于硅基的光无源集成器件设计平台的制作方法，所述的方法包括如下步骤：

步骤A、下缓冲层生长，在硅基材料的芯片衬底上涂覆液态的四乙氧基硅烷，并经过高温退火处理以形成下缓冲层；

步骤B、芯层生长，采用硅烷、一氧化碳与氮气的混合气体在下缓冲层的表面进行粒子沉积以形成芯层；

步骤C、芯层图案制作，在芯层表面涂覆光刻胶，并在掩模板上预设图案，通过将掩模板与光刻胶层进行对准及图案曝光，使得光刻胶层上显影呈现的图案与掩模板上预设的图案完全一致，然后按照光刻胶层上显影的图案，通过反应离子刻蚀法在芯层上形成与光刻胶层上相同的图案，最后去除光刻胶；

步骤D、重复步骤A，在芯层的上方生长上缓冲层，使芯层处于上缓冲层与下缓冲层之间。

作为优选，进一步的技术方案是：所述步骤A中的液态四乙氧基硅烷的高温退火处理的温度为1000至1400摄氏度，处理时间为18至54小时。

更进一步的技术方案是：所述步骤B中通过控制硅烷、一氧化碳与氮气在混合气体中所占的比例，将生长后的芯层的折射率控制在1.46％至2.0％的范围内；所述混合气体中硅烷占氮气总量的1％至于4％，所述一氧化氮占硅烷与氮气混合气体的0.6％至2.0％。

更进一步的技术方案是：所述步骤C中光刻胶层的厚度为2至6微米。

更进一步的技术方案是：所述步骤C中去除光刻胶后，对由下缓冲层与芯层组成的晶圆进行清洗，再执行步骤D。

与现有技术相比，本发明的有益效果之一是：通过采用硅基材料替代石英作为芯片衬底，由于硅基的硬度比石英要高，且价格便宜，因此可有效降低光无源集成电路芯片的生产成本，而增设的上下缓冲层可保证芯片薄膜厚度以及折射率均匀性，且增加芯片薄膜的致密性和粘附性，通过将芯层的折射率控制在一个较高的范围内，可以大大减少光无源集成电路的尺寸，提高单片晶圆的器件产率；同时本发明所提供的一种基于硅基的光无源集成器件设计平台的结构及其制作工艺简单，可兼容当前的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，并尤其适用于移动互联网和第四代移动通信（TD-LTE）产业，利于工业化、大规模生产，且可在通信领域中的所有光无源集成器件上使用，应用范围广阔。

附图说明

图1为用于说明本发明一个实施例的结构示意图；

图中，1为芯片衬底，2为上缓冲层、3为下缓冲层、4为芯层。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步阐述。