[发明专利]一种制备硅纳米结构材料的方法在审
| 申请号： | 201310491554.1 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103526299A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 彭奎庆;刘琳 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C25F3/14;C25F3/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 结构 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备硅纳米结构材料的方法，其特征在于所述方法依次按如下步骤进行：
(1)采用化学镀或真空热蒸发沉积技术在洁净的硅片表面上沉积一层金属银或金纳米颗粒薄膜；
(2)采用光刻技术和真空热蒸发沉积技术在洁净的硅片表面上沉积一层规则的金属银或金纳米颗粒薄膜；
(3)将步骤(1)得到的硅片和石墨棒或金、银、铂电极一起浸入含有氢氟酸溶液的容器中，并用导线将硅片和石墨棒或金、银、铂电极连接起来，在25-50摄氏度条件下反应完成后得到硅纳米结构材料；
(4)将步骤(2)得到的硅片和石墨棒或金、银、铂电极一起浸入含有氢氟酸溶液的容器中，并用导线将硅片和石墨棒或金、银、铂电极连接起来，在25-50摄氏度条件下反应完成后得到硅纳米结构材料。
2.根据权利要求1所述的一种制备硅纳米结构材料的方法，所述步骤(3)和(4)中的氢氟酸浓度范围为1-20mol／L。
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