[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 201310491324.5 申请日: 2013-09-09
公开(公告)号: CN104078454A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 福吉宽;中尾淳一;远藤佳纪;三宅英太郎 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/31
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 韩宏;陈松涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

绝缘基板;

至少一个半导体芯片,其设置在所述绝缘基板之上;

接线端子,其包括电连接到所述半导体芯片的连接部;

包围框架,其包围所述半导体芯片和所述连接部;

嵌入材料,其设置在所述包围框架中覆盖所述半导体芯片和所述连接部;以及

按压单元,其设置在所述嵌入材料的表面上。

2.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

第一接合材料,所述连接部通过所述第一接合材料连接到所述半导体芯片。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其中

所述嵌入材料由树脂组成。

4.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

覆盖所述绝缘基板的壳体,所述按乐单元构成所述壳体的一部分。

5.如权利要求4所述的半导体器件,还包括:

散热板和螺丝,所述绝缘基板在所述散热板之上,所述螺丝拧紧所述散热板和所述壳体。

6.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

接合线,其被部分地设置在所述嵌入材料中,并电连接到所述半导体芯片。

7.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

前表面导电膜和第二接合材料,所述前表面导电膜设置在所述绝缘基极上,所述半导体芯片通过所述第二接合材料设置在所述前表面导电膜之上。

8.如权利要求1所述的半导体器件,其中

所述按压单元由树脂组成。

9.如权利要求1所述的半导体器件,其中

所述按压单元在所述嵌入材料的方向上突出。

10.如权利要求9所述的半导体器件,其中

所述按压单元在所述嵌入材料的方向上的突出量具有1-2mm的长度。

11.如权利要求1所述的半导体器件,其中

所述嵌入材料由所述按压单元按压而被施加压缩压力。

12.如权利要求11所述的半导体器件,其中

所述压缩压力作用于所述连接部和所述第一接合材料。

13.如权利要求1所述的半导体器件,其中

至少一个选自IGBT芯片和FRD芯片的芯片包括在所述半导体芯片中。

14.如权利要求6所述的半导体器件,其小

所述包围框架通过所述前表面导电膜设置在所述绝缘基板之上。

15.如权利要求1所述的半导体器件,其中

所述包围框架具有圆形形状。

16.如权利要求1所述的半导体器件,其中

所述包围框架由绝缘材料或导电材料组成。

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