[发明专利]一种TFT阵列基板和显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）阵列基板和显示面板。

背景技术

目前双畴设计下上下像素电极拐角部分的设计图1所示，在一个像素区域内，上畴有三个像素电极（称之为像素电极a、像素电极b和像素电极c），下畴也有三个像素电极（称之为像素电极a^/、像素电极b^/和像素电极c^/），上畴和下畴的三个像素电极在平行于液晶未受电压驱动旋转的初始排列方向上有一定角度的倾斜，即产生拐角，针对同畴的任意两个像素电极，其产生的拐角角度相同，即θ₁=θ₂=θ₃，所述θ₁、θ₂和θ₃分别为像素电极a、像素电极b和像素电极c在平行于液晶未受电压驱动旋转的初始排列方向上拐角的角度，上畴和下畴的像素电极的拐角大小相同但方向相反。

在图1所示的双畴设计中，当像素电极未通电（即液晶未受电压驱动旋转）时，液晶分子的初始排列方向如图2中左图所示；当像素电极通电时，可驱动液晶分子如图2中中图和右图所示转动相同角度，实现液晶分子的自身补偿，抑制色移（color shift）和色调反转（tone reversal），改善视角、色偏等光学特性。但是，在低灰阶下，液晶分子的旋转不完全（即旋转角度较小），液晶内部达不到完全补偿。

发明内容

本发明实施例提供了一种TFT阵列基板和显示面板，用以解决现有技术中存在的相同拐角的双畴像素电极的结构下，液晶分子的旋转不完全，液晶内部达不到完全补偿的问题。

本发明实施例的方案如下：

一种TFT阵列基板，包括多个像素区域，在每个像素区域中设置有至少一畴结构的多个像素电极，像素区域中同畴的各像素电极在平行于液晶未受电压驱动旋转的初始排列方向上同侧的拐角中，有至少一个拐角的角度与其他拐角的角度不同。

一种显示面板，包括所述TFT阵列基板。

在本发明实施例的方案中，由于像素电极在平行于液晶未受电压驱动旋转的初始排列方向上同侧的拐角角度不同，使像素电极驱动液晶分子转动的角度也不同，可提高像素电极驱动的液晶分子内部的补偿。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为背景技术中双畴设计的相同拐角的像素电极示意图；

图2为背景技术中基于图1所示的拐角相同的像素电极驱动时液晶分子转动的示意图；

图3为本发明实施例中双畴设计的逐渐增大拐角的像素电极示意图；

图4为本发明实施例中基于图3所示的逐渐增大拐角的像素电极驱动时液晶分子转动的示意图；

图5（a）为本发明实施例中以2V电压驱动液晶分子转动时，在图3中1、2、3、4、5点处驱动液晶分子转动的角度仿真示意图；

图5（b）为背景技术以2V电压驱动液晶分子转动时，在图1中1、2、3、4、5点处驱动液晶分子转动的角度仿真示意图；

图6（a）为本发明实施例中以5V电压驱动液晶分子转动时，在图3中1、2、3、4、5点处驱动液晶分子转动的角度仿真示意图；

图6（b）为背景技术以5V电压驱动液晶分子转动时，在图1中1、2、3、4、5点处驱动液晶分子转动的角度仿真示意图；

图7为以2V电压驱动液晶分子时，本发明实施例中逐渐增大拐角的双畴像素电极的结构和相同拐角的双畴像素电极的结构下对色偏的仿真比较示意图；

图8为以4.5V电压驱动液晶分子时，本发明实施例中逐渐增大拐角的双畴像素电极的结构和相同拐角的双畴像素电极的结构下对色偏的仿真比较示意图；

图9为不同电压下，本发明实施例中逐渐增大拐角的双畴像素电极的结构下和相同拐角的双畴像素电极的结构下对穿透率的仿真结果比较示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。