[发明专利]高效嵌入技术在审
申请号: | 201310489768.5 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN103857173A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | M.斯坦丁 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/18;H05K3/46;H01L23/498 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;马永利 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高效 嵌入 技术 | ||
技术领域
本发明涉及高效嵌入技术。
技术领域
根据本发明的一个方面,提供了一种多层层压的印刷电路板(PCB),其包括:第一和第二传导层;第一和第二电介质层,其被部署在所述第一和第二传导层之间,所述第一和第二电介质层的至少一个具有一个或多个预先形成的孔隙;间隔物层,其被部署在所述第一和第二电介质层之间,所述间隔物层具有一个或多个预先形成的孔隙;以及一个或多个电组件,其被部署在所述间隔物层的所述一个或多个预先形成的孔隙内,并且经由所述第一和第二电介质层的至少一个的所述一个或多个预先形成的孔隙来电耦合到所述第一和第二传导层的至少一个的一部分。
根据本发明的另一个方面,提供了一种方法,其包括:形成第一电介质膜和第二电介质膜,所述第一和第二电介质膜的至少一个具有一个或多个孔隙;用粘合剂涂敷所述第一电介质膜,所述粘合剂填充所述第一电介质膜中的任何孔隙;将所述第一电介质膜钉到第一传导薄片上;形成具有一个或多个孔隙的间隔物;将所述间隔物钉到所述第一电介质膜;将一个或多个电组件粘接到所述间隔物中的所述一个或多个孔隙中;用所述粘合剂涂敷所述第二电介质膜,所述粘合剂填充所述第二电介质膜中的任何孔隙;将所述第二电介质膜钉到所述电介质间隔物;将第二传导薄片钉到所述第二电介质膜上;以及将所述第一传导薄片、所述第一电介质膜、所述间隔物、所述一个或多个电组件、所述第二电介质膜、和所述第二传导薄片层压,以形成层压结构。
根据本发明的还有另一个方面,提供了一种方法,其包括:将第一组的一个或多个形状沉积到第一传导层的表面上;围绕所述第一组的一个或多个形状将第一层电介质材料沉积到所述第一传导层上;将具有一个或多个孔隙的间隔物层沉积到所述电介质材料和所述一个或多个形状上;和将所述一个或多个电组件放到所述间隔物层中的所述一个或多个孔隙中,基于所述第一组的一个或多个形状,所述一个或多个电组件被布置以经由在所述第一层电介质材料中形成的一个或多个孔隙来电耦合到所述第一传导层的一部分。
背景技术
过去几年半导体技术的发展已经允许保持品质因数(FoM)和电路效率,或者甚至在一些改进的情形中,随着半导体器件的尺寸不断地收缩。一种使用收缩的形状因子的现代半导体技术是嵌入的管芯技术。集成电路(IC)芯片管芯可以例如安置在印刷电路板(PCB)的核心层内,或者例如在多层电路板的层之间。这个技术为其它电路组件腾出PCB层表面上的表面区域。在一些情况下,多个芯片小片可以安置在多层PCB的不同的层或层组内。
嵌入组件和PCB的外层之间的电连接有时通过钻通层压层达成,从而在将该组件灌封在该层内后,创建到该组件的接触。在一些情况下,激光被用于去除该层的有机/有机玻璃混合物或无机衬底。然而,这些技术对于一些嵌入组件也可以是过于侵略性的或侵入的。例如,该钻孔技术可以创建较不精确的连接通道,并且可以引起关于一些嵌入组件的损害或可靠性问题。
附图说明
参考附图阐述详细说明。图中,参考数字的最左侧的(多个)位识别参考数字首先出现在其中的图。不同图中使用相同参考数字指示类似的或者相同的项。
为了该讨论,在图中所图示的器件和系统被示出为具有多个组件。如于此所描述的那样的器件和/或者系统的各种实施可以包括更少的组件,并且保持在本公开的范围之内。可替换地,器件和/或者系统的其它实施可以包括附加的组件,或者所描述的组件的各种组合,并且保持在本公开的范围之内。
图1是根据例子的包括嵌入电路组件的多层PCB布置的横截面剖视图。
图2A和2B是例如图1的PCB层的透视图。图2A示出了两个示例电介质层并且图2B示出了已经将粘合剂应用到电介质层后的该电介质层。
图3A是根据实现过程的已经被钉到传导层的一个图2B的该PCB层的透视图。
图3B是根据实现过程添加了被钉到该电介质层的间隔层的图3A的例子PCB组件的透视图。
图4A是根据实现过程示出被粘接到该间隔物层的孔隙中的示例电组件的图3B的PCB组件的透视图。
图4B是根据实现过程示出被钉到该间隔物/组件层的第二电介质层的图4A的示例PCB组件的透视图。
图5A是根据实现过程的示出被钉到第二电介质层的第二传导层的图4B的该PCB组件的透视图。
图5B是根据实现过程创建电路路径并暴露于粘合剂的第一次刻蚀的图5A的示例PCB组件的透视图。
图6A是根据实现过程示出去除过量粘合剂之后的电路路径的图5B的该PCB组件的透视图。
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