[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本实施方案涉及发光器件和发光器件封装件。

背景技术

已对包括发光器件的发光器件封装件进行了积极的研究和探索。

发光器件是包括半导体材料以将电能转化成光的半导体发光器件或半导体发光二极管。

与其他光源(例如荧光灯和白炽灯)相比，半导体发光器件因低功耗、长寿命、快响应时间、安全以及环境友好而具有优势。因此，已经进行了许多用半导体发光器件取代现有光源的研究和探索。

此外，半导体发光器件具有越来越多地用作室内和室外地方使用的各种灯、液晶显示器、电子显示器或照明器件(例如街灯)的光源的趋势。

发明内容

本实施方案提供能够通过电流扩散提高发光效率的发光器件。

本实施方案提供能够提高电特性和光学特性的发光器件。

根据实施方案，提供了一种发光器件。该发光器件包括：纳米结构、在纳米结构上的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电半导体层。所述纳米结构包括：设置在第一半导体层下方以接触第一半导体层的石墨烯层；和从石墨烯层的顶表面延伸至第一半导体层并且接触第一半导体层的多个纳米构造物(texture)。

根据实施方案，提供了一种发光器件。该发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括：第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方的有源层和在有源层下方的第二导电半导体层；在发光结构的顶表面上的多个纳米结构；在发光结构下方的电极层；在电极层下方的接合层以及在接合层下方的支承衬底。每个纳米结构包括：接触第一导电半导体层的顶表面的石墨烯图案，和从石墨烯图案突起至有源层的多个纳米构造物。设置连接部分以将纳米结构的石墨烯图案彼此连接，并且所述纳米构造物包含与构成石墨烯图案和连接部分的材料不同的材料。

根据实施方案，提供了一种发光器件。该发光器件包括：衬底、设置在衬底上的纳米结构和设置在纳米结构上并且包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光结构。所述纳米结构包括在衬底上的石墨烯层和在石墨烯层上的多个纳米构造物。

根据实施方案，提供了一种发光器件。该发光器件包括：电极层、设置在电极层上并且包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构以及设置在发光结构上的纳米结构。所述纳米结构包括在衬底上的石墨烯层和在石墨烯层上的多个纳米构造物。

根据实施方案，提供了一种发光器件。该发光器件包括：衬底、设置在衬底上的纳米结构和设置在纳米结构上的发光结构。所述纳米结构包括设置在衬底上的多个石墨烯图案和设置在石墨烯图案上的多个纳米构造物。

根据实施方案，提供了一种发光器件。该发光器件包括：电极层、设置在电极层上的发光结构和设置在发光结构上的纳米结构。所述纳米结构包括设置在衬底上的多个石墨烯图案和设置在石墨烯图案上的多个纳米构造物。

根据实施方案，提供了一种发光器件封装件。该发光器件封装件包括：本体、设置在本体上的第一引线电极和第二引线电极、设置在本体以及第一引线电极与第二引线电极中之一上的发光器件以及围绕发光器件的模制构件。

附图说明

图1是示出根据实施方案的发光器件的截面图。

图2是示出图1所示发光器件的纳米结构的一个实例的平面图。

图3是示出根据第一实施方案的侧向型发光器件的截面图。

图4是示出根据第二实施方案的垂直型发光器件的截面图。

图5是示出图4所示垂直型发光器件中的电流流动的截面图。

图6是示出在制造图5所示发光器件的过程中形成在衬底上的纳米结构的截面图。

图7是示出形成在图6所示纳米结构上的发光结构的截面图。

图8是示出在图7所示发光结构上形成沟道层的过程的截面图。

图9是示出在其上提供有电极层、接合层和支承衬底的图8的发光结构的截面图。

图10是示出没有衬底的图9所示纳米结构的截面图。

图11是示出图10所示发光结构的周边部分被蚀刻的截面图。

图12是示出形成在图11所示发光结构的表面上的保护层的截面图。

图13是示出图2所示纳米结构的另一个实例的截面图。

图14是示出根据第三实施方案具有图13所示纳米结构的侧向型发光器件的截面图。

图15是示出根据第四实施方案具有图13所示纳米结构的垂直型发光器件的截面图。

图16是示出根据第五实施方案的发光器件的截面图。

图17是示出图16所示纳米结构的一个实例的平面图。