[发明专利]基板处理方法

说明书

技术领域

本发明系关于半导体制造方法，特定而言，系关于在一腔室内，针对多个薄膜控制其各自蚀刻选择比的基板处理方法。

现有技术

存储元件或显示元件可包括在基板上层迭的多个薄膜。多个薄膜可借助于光刻步骤及蚀刻步骤而形成图案。蚀刻步骤可包括干式蚀刻方法或湿式蚀刻方法。蚀刻步骤根据对各个薄膜的蚀刻选择比执行。蚀刻选择比可根据蚀刻气体或蚀刻液之固有特性决定。当去除薄膜时，应投入相应腔室内进行蚀刻。因此，先前之基板处理方法具有生产率下降的缺点。

发明内容

[要解决的技术问题]

本发明要实现之技术问题在于提供一种能够在一腔室内，针对多个薄膜分别调节蚀刻选择比的基板处理方法。

另外，本发明的另一问题在于提供一种能够使生产率及生产收率提高的基板处理方法。

[问题的解决手段]

本发明实施方式之基板处理方法包括：基板提供步骤，其提供形成有第一薄膜及第二薄膜的基板；蚀刻副产物形成步骤，其向该基板上提供顶部流动蚀刻气体，在第一薄膜之顶部面形成蚀刻副产物；第一薄膜蚀刻步骤，其对该基板进行热处理，去除该蚀刻副产物，蚀刻该第一薄膜；以及任选的去除步骤，其向该基板上提供底部流动蚀刻气体，视需要去除该第一薄膜及该第二薄膜中剩余的一个。

根据本发明之一实施方式，该第一薄膜可包括氧化硅膜。

根据本发明之另一实施方式，该第二薄膜可包括多晶硅或氮化硅膜。

根据本发明之一实施方式，该顶部流动蚀刻气体及该底部流动蚀刻气体可包括三氟化氮。

根据本发明之另一实施方式，该三氟化氮可经受远程等离子处理。

根据本发明之一实施方式，该蚀刻副产物可包括氨、氢氟酸或硅。

根据本发明之另一实施方式，该基板之热处理可于100℃执行。

根据本发明之一实施方式，在提供该顶部流动蚀刻气体及该底部流动蚀刻气体时，可提供活性气体或反应气体。

根据本发明之另一实施方式，该活性气体可包括氧气。

根据本发明之一实施方式，该反应气体可包括氢气或氮气。

本发明之另一实施方式的基板处理方法包括：基板载入步骤，将形成有第一薄膜及第二薄膜之基板载入腔室内；薄膜去除步骤，向该腔室内提供顶部流动蚀刻气体或底部流动蚀刻气体中之一，去除该第一薄膜及该第二薄膜中之一；以及剩余薄膜去除步骤，向该腔室内提供该顶部流动蚀刻气体或该底部流动蚀刻气体中剩余的一个，去除该第一薄膜与该第二薄膜中剩余的一个。

根据本发明之一实施方式，该顶部流动蚀刻气体及该底部流动蚀刻气体可包括经受远程等离子处理之三氟化氮。

根据本发明之另一实施方式，该顶部流动蚀刻气体可在该第一薄膜或该第二薄膜上形成蚀刻副产物。

根据本发明之一实施方式，亦可包括去除该蚀刻副产物的步骤。

根据本发明之另一实施方式，该蚀刻副产物去除步骤可包括该基板的热处理步骤。

根据本发明之一实施方式，该三氟化氮可与反应气体或活性气体混合提供于该腔室内。

根据本发明之另一实施方式，该反应气体可包括氢气或氮气。

根据本发明之一实施方式，该活性气体可包括氧气。

根据本发明之另一实施方式，该第一薄膜及第二薄膜可分别包括氧化硅膜及多晶硅。

根据本发明之一实施方式，该第一薄膜及第二薄膜可分别包括氧化硅膜及氮化硅膜。

[发明效果]

本发明实施方式的基板处理方法可包括绝缘层与半导体层之表面氧化步骤、蚀刻步骤及热处理步骤。表面氧化步骤可为在半导体层的第一顶部表面形成封口绝缘层的步骤。蚀刻步骤可为使该封口绝缘层及该绝缘层形成蚀刻副产物的步骤。热处理步骤可为去除蚀刻副产物的步骤。

因此，本发明实施方式的基板处理方法可容易地调节绝缘层与半导体层的蚀刻断差。

附图说明

图1为显示用于说明本发明的基板处理方法之基板处理装置的图。

图2为显示本发明实施方式的基板处理方法之流程图。

图3至图7为图2的基板处理方法的工艺剖面图。

图8为比较显示顶部流动蚀刻气体的不同供应流量下的氧化硅膜与多晶硅之蚀刻量的图表。

图9为比较显示底部流动蚀刻气体的不同供应流量下的氧化硅膜与多晶硅之蚀刻量的图表。

具体实施方式