[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

包含第一导电掺杂剂的第一半导体层；

设置在所述第一半导体层上的有源层；

设置在所述有源层上的电子阻挡层；

设置在所述有源层与所述电子阻挡层之间的载流子注入层；

设置在所述有源层与所述载流子注入层之间的间隔层；以及

包含第二导电掺杂剂并且设置在所述电子阻挡层上的第二半导体层；

其中所述载流子注入层包含所述第一导电掺杂剂和所述第二导电掺杂剂，以及

所述载流子注入层的所述第一导电掺杂剂的浓度至少低于所述第二导电掺杂剂的浓度，

其中所述间隔层具有大于所述有源层的势垒层的带隙并且小于所述电子阻挡层的带隙的中间带隙。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电掺杂剂包含N型掺杂剂，并且所述第二导电掺杂剂包含P型掺杂剂，

其中所述载流子注入层包括包含所述P型掺杂剂的原子和所述N型掺杂剂的原子的键合结构，以及

其中所述电子阻挡层具有大于所述间隔层的能带隙的能带隙。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述间隔层包含选自InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述间隔层包含InGaN或InAlGaN，并且铟(In)的含量在0.01％至5％的范围内。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述间隔层包含AlGaN或InAlGaN，并且铝(Al)的含量在0.01％至10％的范围内。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述电子阻挡层包括：

在所述载流子注入层上的第一电子阻挡层；以及

在所述第一电子阻挡层上的第二电子阻挡层，所述第二电子阻挡层的带隙大于所述第一电子阻挡层的带隙。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一电子阻挡层包含InAlGaN，并且所述第二电子阻挡层包含AlGaN。

8.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述载流子注入层的所述P型掺杂剂具有在1E19至5E20范围内的浓度。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述间隔层连接至所述有源层的势垒层并且所述间隔层的带隙大于势垒层的带隙。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述载流子注入层的带隙窄于所述间隔层的带隙。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述载流子注入层具有与所述有源层的势垒层的带隙相同的带隙。

12.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述载流子注入层的所述N型掺杂剂的浓度在1E16至1E20范围内。

13.一种发光器件，包括：

包含第一导电掺杂剂的第一半导体层；

设置在所述第一半导体层上的有源层；

设置在所述有源层上的电子阻挡层；

设置在所述有源层与所述电子阻挡层之间的载流子注入层；

设置在所述有源层与所述载流子注入层之间的间隔层；以及

包含第二导电掺杂剂并且设置在所述电子阻挡层上的第二半导体层；

其中所述载流子注入层包含所述第一导电掺杂剂和所述第二导电掺杂剂，以及

所述载流子注入层的所述第一导电掺杂剂的浓度至少低于所述第二导电掺杂剂的浓度，

其中所述载流子注入层包括：

包含P型掺杂剂和N型掺杂剂的第三半导体层；

在所述第三半导体层上的未掺杂的第四半导体层；以及

设置在所述第四半导体层上的包含P型掺杂剂和N型掺杂剂的第五半导体层，

其中所述载流子注入层的所述N型掺杂剂的浓度至少低于所述P型掺杂剂的浓度，

其中所述间隔层具有大于所述有源层的势垒层的带隙并且小于所述电子阻挡层的带隙的中间带隙。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第三半导体层的P型掺杂剂的掺杂浓度等于所述第五半导体层的P型掺杂剂的掺杂浓度，

其中所述第三半导体层或所述第五半导体层包括包含所述P型掺杂剂的原子和所述N型掺杂剂的原子的键合结构。