[发明专利]一种带叉指耦合控制的桥式跨接双频微带天线

权利要求书

1.一种带叉指耦合控制的桥式跨接双频微带天线，其特征在于,由下至上设有接地板、介质基板和辐射贴片；

接地板为导体，辐射贴片为金属辐射贴片，辐射贴片上设有左右对称的2个馈电孔，在2个馈电孔上分别设有馈电接线端子，辐射贴片通过同轴线内芯穿过馈电孔与介质基板连接，同轴线外芯与接地板连接；辐射贴片的形状为方形，辐射贴片的4个角部均设有L字形带叉指通槽，L字形带叉指通槽的内侧和外侧均设有间隔布置的叉指槽，L字形带叉指通槽的内侧所设叉指构成内框叉指方形耦合阵列，L字形带叉指通槽的外侧所设叉指构成外框叉指方形耦合阵列，相邻的L字形带叉指通槽形成桥式跨接，以4个L字形带叉指通槽为分界，辐射贴片形成内框和外框，即辐射贴片形成双馈双框式结构。

2.如权利要求1所述的一种带叉指耦合控制的桥式跨接双频微带天线，其特征在于所述接地板为铜接地板；所述辐射贴片为铜辐射贴片。

3.如权利要求1所述的一种带叉指耦合控制的桥式跨接双频微带天线，其特征在于所述介质基板为陶瓷板。

4.如权利要求3所述的一种带叉指耦合控制的桥式跨接双频微带天线，其特征在于所述陶瓷板为相对介电常数大于6的陶瓷板或环氧复合陶瓷板。

5.如权利要求1所述的一种带叉指耦合控制的桥式跨接双频微带天线，其特征在于所述接地板的形状为正方形，接地板的尺寸如下：长和宽均为50mm；所述介质基板采用相对介电常数为9.8±5%的复合陶瓷介质基板，介质基板的形状为正方形，介质基板的尺寸如下：长和宽均为29.8mm，厚度为3±0.01mm；所述辐射贴片形状为正方形，辐射贴片的尺寸如下：内框的边长为20mm，外框的边长为28.8mm，L字形带叉指通槽的外侧叉指槽的底部与辐射贴片外沿的间距为0.7mm；所述L字形带叉指通槽的尺寸如下：所述外框叉指方形耦合阵列中的每个叉指的宽度为1mm，相邻叉指的间距为1mm；所述内框叉指方形耦合阵列中的每个叉指的宽度为1.2mm，相邻叉指的间距为0.3mm；外框叉指方形耦合阵列与内框叉指方形耦合阵列之间的间距1.5mm。

6.如权利要求1所述的一种带叉指耦合控制的桥式跨接双频微带天线，其特征在于所述辐射贴片的外沿对角线上的2个角为斜边角，斜边的边长为0.71mm。

7.如权利要求1所述的一种带叉指耦合控制的桥式跨接双频微带天线，其特征在于外框叉指方形耦合阵列与内框叉指方形耦合阵列之间的4个跨接桥的宽度均为2mm。

8.如权利要求1所述的一种带叉指耦合控制的桥式跨接双频微带天线，其特征在于所述馈电孔的直径为0.5±0.01mm，馈电孔的深度为3mm。

9.如权利要求1所述的一种带叉指耦合控制的桥式跨接双频微带天线，其特征在于2个馈电孔中心线的距离为8mm。