[发明专利]一种0.1～1.2GHz的CMOS超宽带射频功率放大器

权利要求书

1.一种0.1～1.2GHz的CMOS超宽带射频功率放大器，包括多级放大电路，其特征在于，多级放大电路包括输入隔直电容C1、驱动级偏置及输入匹配电路、驱动级放大电路、级间隔直电容C2、中间级偏置及级间匹配电路、中间级放大电路、级间隔直电容C3、功率级偏置及级间匹配电路、功率级放大电路、输出隔直电容C4和芯片电源，所述芯片电源采用电压节点VDD；

所述驱动级放大电路包括两个共栅共源结构的NMOS管M1和NMOS管M2，一个片外电感L0，其电感值至少为100nH；

所述中间级放大电路包括两个共栅共源结构的NMOS管M4和NMOS管M5，一个片外电感L1，其电感值至少为100nH；

所述功率级放大电路包括一共源结构的NMOS管M7和一个片外电感L2，其电感值至少为100nH，所述NMOS管M7的漏级和栅级之间设有一反馈电阻Rf；

所述驱动级偏置及输入匹配电路、中间级偏置及级间匹配电路和功率级偏置及级间匹配电路结构相同，均分别包括有一个NMOS管、第一电阻和第二电阻；

所述驱动级放大电路中，所述NMOS管M2的源极接地，所述NMOS管M2的栅极通过驱动所述驱动级偏置及输入匹配电路和输入隔直电容C1后连接至放大器的输入端Vin，所述NMOS管M2的漏极与所述NMOS管M1的源极相连，所述NMOS管M1的栅极偏置接至电压节点VDD，所述NMOS管M1的漏极与所述片外电感L0连接，所述片外电感L0的另一端接电压节点VDD；

所述中间级放大电路中，所述NMOS管M5的源极接地，所述NMOS管M5的栅极通过中间级偏置及级间匹配电路和级间隔直电容C2后连接至所述NMOS管M1的漏极，所述NMOS管M5的漏极与所述NMOS管M4的源极相连，所述NMOS管M4的栅极偏置接至所述电压节点VDD，所述NMOS管M4的漏极与所述片外电感L1连接，所述片外电感L1的另一端接电压节点VDD；

所述功率级放大电路中，所述NMOS管M7的源极接地，所述NMOS管M7的栅极通过功率级偏置及级间匹配电路和级间隔直电容C3后连接至所述NMOS管M4的漏极，所述NMOS管M7的漏极与所述片外电感L2连接，所述NMOS管M7的漏极与所述输出隔直电容C4并接后连接至放大器的输出端口Vout，所述片外电感L2的另一端接电压节点VDD。

2.根据权利要求1所述0.1～1.2GHz的CMOS超宽带射频功率放大器，其中，所述驱动级偏置及输入匹配电路中的NMOS管M0的漏极串联第一电阻R0连接至电压节点VDD，所述NMOS管M0的栅极与漏极相连、并与第二电阻R1串联后给所述NMOS管M1的栅极加偏置。