[发明专利]深沟槽中感应材料的成膜方法有效
| 申请号： | 201310485983.8 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104555894A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟 感应 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.深沟槽中感应材料的成膜方法，包括步骤：
1）在硅衬底上生长硬掩膜；
2）在硬掩膜上涂布光刻胶，并形成深沟槽光刻窗口；
3）以光刻胶为掩膜，光刻刻蚀形成深沟槽；
4）湿法刻蚀，去除硬掩膜；
5）淀积一层感应材料；
6）旋涂光刻胶填充型材料2次；
7）涂布一层光刻胶，曝光并显影；
8）刻蚀形成最终所需的图案；
其特征在于，步骤6），第2次旋涂光刻胶填充型材料完成后，静止10～20秒钟，再进行烘烤。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），所述深沟槽的角度是85度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5），所述感应材料为磁性材料，包括氮化钽和镍铁。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6），第2次旋涂光刻胶填充型材料完成后，静止15秒钟，再进行烘烤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤8），刻蚀气体是四氟化碳和纯氧。
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