[发明专利]太赫兹频扫H面扇形喇叭天线及其在体硅MEMS工艺下的制备方法无效
| 申请号： | 201310485832.2 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103531909A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 卢宏达;刘埇;赵鹏飞;刘嘉琳;李庆;吕昕 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01Q13/02 | 分类号： | H01Q13/02;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 赫兹 扇形 喇叭天线 及其 mems 工艺 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种太赫兹频扫H面扇形喇叭天线，其特征在于：天线的辐射结构是由H面扇形喇叭天线演化得到；整体形状为向一侧弯曲的渐开喇叭；由馈电波导口至辐射口采取渐变扩展的结构；扩展方向平行于天线的H面；渐变曲线采取两条底数不同的对数曲线；馈电方式为矩形波导馈电。
2.利用体硅MEMS工艺对太赫兹频扫H面扇形喇叭天线的制备方法，其特征在于具体步骤如下：
（1）选取一个双面抛光<110>SOI硅片，双面热生长氧化层，利用掩膜版光刻形成需要刻蚀的太赫兹频扫天线图形窗口；
（2）将步骤1）中的窗口部分利用ICP干法深槽刻蚀，形成侧壁垂直的槽；
（3）利用溅射金工艺完成硅片的槽内侧面以及底部的金属化，准备键合；
（4）选取另一个双面抛光<110>SOI硅片，在硅片表面溅射金层，使硅片表面金属化；
（5）对两片硅片进行对位后，即将步骤4）中的硅片放置于步骤3）得到的硅片的上面，利用金-金热压键合技术，得到加工成品。
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