[发明专利]写入极设计

说明书

背景技术

热辅助磁记录(HAMR)换能器头通过将近场换能器的激光转换为消逝场而使用激光热援助在记录介质上记录数据，所述消逝场更紧密，并在介质上创建用于写操作的高强度能源点。该技术利用高稳定性的磁性化合物，该高稳定性的磁性化合物可以在磁存储介质上的小位存储区域中存储单个位，而不受到限制其他类型的磁存储技术的同样顺磁性效果的限制。HAMR系统在写操作期间向每个位存储区域施加热量，以克服磁存储介质的增强稳定性，从而使磁写入极电路实现被加热的位存储区域中磁场极性的变化，而不改变附近未被加热的位存储区的极性。在某些情况下，光源(诸如激光)用于在写操作过程中加热位的位置。然而，用于光传输的波导和HAMR头中近场光学换能器的存在涉及复杂的制造技术并限制写入器的磁性部分可用的设计空间。因此，写入极的任何设计改变一般在本质上受限。

发明内容

公开一种快速高效的写入极电路设计。换能器头形成具有写入极电路的磁性电路，所述写入极电路具有桨叶部和延伸的梢端部。延伸的梢端部成角度远离桨叶部的中心轴线，以及线圈缠绕延伸的梢端部。延伸的梢端部可以具有不相等的双斜角以将磁通密度集中到较小的横截面，以提高延伸的梢端部的端部处的磁通密度。返回极具有从从磁性表面基本垂直延伸的中心轴。返回极的中心轴基本上平行于桨叶部的中心轴，以及延伸的梢端部的中心轴相对于返回极的中心轴成一定角度。本文还描述列举了其他实施方式。

提供此发明内容以通过简化形式引入在下面的详细说明中进一步描述的概念的选择部分。本发明内容并非旨在标识要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不是拟用于限制请求主题的范围。所要求保护主题的其它特征、细节、工具以及方面将从以下更具体的多个实施例和实施方式的书面详细描述中变得显而易见，如在相应附图中进一步所示以及在附加权利要求中所定义的。

附图说明

结合附图从描述各种实施例的以下详细说明理解所描述的技术。

图1示出了具有位于致动器组件一端上的换能器头的磁存储盘的示例实施例的俯视图。

图2a示出示例换能器头的简化侧视图，其中根据本设计的写入极电路是可见的。

图2b示出示例写入极电路设计的侧视图。

图2c中示出示例换能器头的另一侧视图，其中显示了示例线圈设计。

图3a示出示例换能器头的透视图，示出了在制造过程期间沉积的第一线圈层。

图3b示出通过图3a中的平面3获取的示例换能器头的剖面侧视图，如在线3b-3b的方向所看到的，示出了写入极电路以及第一和第二线圈层。

图4是根据本公开制造的无斜面写入头和示例有斜面写入头的写入头性能的绘图。

图5示出表示用于制造具有快速高效写入极电路设计的换能器头的示例操作的流程图。

具体实施例

磁数据存储装置包括介质，其中每个数据位磁性存储在介质上。数据被存储在沿着一致位磁道的单个单元中，典型地记录到同轴径向位置处的存储介质中(例如，从存储介质的内径(ID)到外径(OD))。当存储介质在存储设备中旋转时，换能器头被定位在沿着数据磁道靠近存储介质表面，以向磁道中的单个单元格读取/写入数据。

磁盘驱动器通常使用致动器用于定位相邻于存储介质的换能器头。伺服控制系统接收由换能器头从数据磁道读取的伺服定位信息，通常是从横跨磁道大致径向延伸的等角度间隔的伺服扇区中读取。伺服控制系统向致动器提供控制信号，以将换能器头保持在磁道上，并将换能器头移动到读取和写入数据所需的磁道。

积极定位的线圈已显示出给写入极电路提供对过冲的更好响应，潜在地允许写入极电路在上部500微微秒(皮秒)范围内达到上升时间，以操作电流围绕极高电平的实质优化为代价。但写入极电路(例如，具有约400纳米(nm)的总磁极长度或TPL，以及大约200nm的总磁极宽度尾迹或TPWT)在微小电流并不很好地饱和，特别是没有软底层(SUL)的情况下。产生的场具有较大角度，该角度有利于显著低于居里温度(Tc)的(介质温度)的Stoner-Wolfarth记录。然而，因为难于使HAMR写宽度最小化至低于约60nm，所以需要下磁道有效梯度的显著升高(相对于传统的垂直产品)以建立高线性密度能力。这就要求产生具有快速上升时间(＜200ps)的良好控制的垂直磁场。