[发明专利]最佳噪声系数的测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种最佳噪声系数的测试方法。

背景技术

在射频集成电路中，如低噪声放大器，器件的噪声系数是非常重要的指标；在4个噪声参数中，最重要的参数就是最佳噪声系数，这对电路的设计、器件的选择具有指导作用。

但是在测试环节，目前测试高频噪声的方法主要有两种，一种是测试50欧姆（Ohm）下的噪声系数，不是最佳噪声系数；另一种是用调谐器的方法及软件相结合的方式测试噪声参数，其中包括最佳噪声系数，这种方法目前国内测试资源少，设备价格昂贵，在片测试单管还容易引起震荡，效率低下。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种最佳噪声系数的测试方法，能使用50欧姆系统进行测试并通过推算计算出器件的最佳噪声系数，能克服测试资源少且设备昂贵缺点、从而能降低测试成本，还能不会引起器件振荡、提高测试效率。

为解决上述技术问题，本发明提供的最佳噪声系数的测试方法包括步骤：

步骤一、在硅片上制作测试结构一、测试结构二、测试结构三、去嵌结构和直通结构。

所述测试结构一包括两个GSG测试端口和一个被测试器件，所述GSG测试端口表示地-信号-地测试端口，所述被测试器件的源端和第一GSG测试端口的信号端连接，所述被测试器件的信号输出端和第二GSG测试端口的信号端连接。

所述测试结构二在所述测试结构一的基础上增加了一串联电阻，所述串联电阻串联在所述被测试器件的源端和所述第一GSG测试端口的信号端之间。

所述测试结构三为在所述测试结构二的基础上去除了所述被测试器件的结构，所述测试结构三的串联电阻直接串联在所述第一GSG测试端口和所述第二GSG测试端口的信号端之间。

所述去嵌结构为在所述测试结构一的基础上去除了所述被测试器件以及所述被测试器件的连线的结构。

所述直通结构在所述测试结构一的基础上去除了所述被测试器件，在所述直通结构的所述第一GSG测试端口和所述第二GSG测试端口的信号端之间通过一连线连接。

步骤二、用50欧姆系统测试所述测试结构一的不同频率下的第一噪声系数。50欧姆系统即为源阻抗为50欧姆的噪声系数测试系统。

用50欧姆系统测试所述测试结构二的不同频率下的第二噪声系数。

测试所述测试结构三的不同频率下的第一散射参数。

测试所述去嵌结构的不同频率下的去嵌散射参数。

测试所述直通结构的不同频率下的直通散射参数。

步骤三、将所述第一噪声系数结合所述去嵌散射参数和所述直通散射参数对所述第一噪声系数进行去嵌，得到所述被测试器件的去嵌后的第三噪声系数。

将所述第二噪声系数结合所述去嵌散射参数和所述直通散射参数对所述第二噪声系数进行去嵌，得到所述被测试器件和所述串联电阻的去嵌后的第四噪声系数。

将所述第一散射参数结合所述去嵌散射参数和所述直通散射参数对所述第一散射参数进行去嵌，得到所述串联电阻的去嵌后的第二散射参数。

步骤四、由级联噪声公式：

F′50_2=Fres+F′′50_2-1Gres,]]>计算出F''_{50_2}＝G_resF'_{50_2}。