[发明专利]一种同轴介质滤波器坯体的成型方法

权利要求书

1.一种同轴介质滤波器坯体的成型方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：

第1步制备陶瓷基膜片，并进行裁剪；

第2步将器件结构从与叠膜方向的垂直平面按照膜片厚度分解为一组平面图形，在切裁剪后的膜片上进行图形转移；

第3步将图形转移后的陶瓷膜片按顺序叠片，直到膜层总厚度达到预定的器件厚度，经过加温加压使分层膜片成为定型后的陶瓷生坯；

第4步对定型后的陶瓷生坯体进行排胶及烧结，得到所需的陶瓷器件坯体，其后即可按现有工艺进行电极印制，制得所需器件。

2.根据权利要求1所述的同轴介质滤波器坯体的成型方法，其特征在于，第4步中，排胶过程分为三阶段，第一阶段：从室温按2～4℃／min升温至250℃～350℃，保温90～150min；第二阶段：再按1～2.5℃／min升温至450℃～600℃，保温150～200min；第三阶段：降温至室温。

3.根据权利要求1所述的同轴介质滤波器坯体的成型方法，其特征在于，第4步中，烧结过程分为四阶段，第一阶段：从室温按3～6℃／min升温至400℃～500℃；第二阶段：再按3～5℃／min升温至600℃～700℃，保温100～150min；第三阶段：再按4～7℃／min升温至1500℃，保温180～240min；第四阶段：降温至室温。

4.根据权利要求1所述的同轴介质滤波器坯体的成型方法，其特征在于，第1步中，陶瓷基膜片由微波介质陶瓷浆料经除泡和流延处理后得到，厚度为0.5～1.5mm。

5.根据权利要求4所述的同轴介质滤波器坯体的成型方法，其特征在于，所述微波介质陶瓷浆料中的粉料为BCZN陶瓷粉体，BCZN陶瓷粉体的结构式为：Ba(Co_1-xZn_x)_1／3Nb_2／3O₃体系陶瓷，其中，x=0.2～0.4。

6.根据权利要求4所述的同轴介质滤波器坯体的成型方法，其特征在于，所述微波介质陶瓷浆料由BCZN陶瓷粉体和添加剂构成，其中，BCZN陶瓷粉体的半径0.8um～2.3um，其质量百分比为50～65wt％，余量为添加剂。

7.根据权利要求6所述的同轴介质滤波器坯体的成型方法，其特征在于，所述添加剂的组分及配比为60～70wt％溶剂，10～15wt％除泡剂，4～7wt％增塑剂，6～10wt％分散剂，4～9wt％粘合剂，1～3wt％附加剂。

8.根据权利要求7所述的同轴介质滤波器坯体的成型方法，其特征在于，所述溶剂由80～85wt％丁酮和15～20wt％乙醇构成，所述除泡剂由35～50wt％正丁醇和50％～65wt％乙二醇构成，所述增塑剂由15％～35wt％聚乙二醇-400和65％～85wt％聚乙二醇-2000构成，所述分散剂为三油酸甘油酯TG，所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛PVB，所述附加剂由33％～54wt％正辛醇和47％～66％wt环己酮构成。

9.根据权利要求1至8中任一所述的同轴介质滤波器坯体的成型方法，其特征在于，第3步包括下述过程：叠层后膜片放入热压机中加压加热压结，加压2～4MPa，温度60～75℃，时长30～60分钟使层间紧密结合，且层间无挤压变形，后进行等静压定型30～40分钟，压强10～15MPa，温度40～55℃得到陶瓷生坯体。