[发明专利]自驱动的全桥同步整流电路

权利要求书

1.一种自驱动的全桥同步整流电路，包括：由构成桥式连接的四个开关管（1-4）、电源U（5）、滤波电容C和负载R；其特征在于：四个开关管采用四个完全相同的自驱动有源开关，每个自驱动有源开关，包括电源电路（6）、驱动电路（7）和执行电路（8）；该电源电路（6），包括限流电阻RA1、开关二极管DA1、稳压管Z1和储能电容C1；该驱动电路（7），包括保护电阻RB1和运算放大器Q1；该执行电路（8），包括带有寄生二极管DB2的N沟道MOSFET管； 

所述限流电阻RA，其连接在开关二极管DA的正极与N沟道MOSFET管M的漏极D之间，储能电容C并联在稳压管Z上，稳压管Z的正极连接在N沟道MOSFET管M的源极S，稳压管负极连接在开关二极管D的负极； 

所述运算放大器Q，其反相输入端通过保护电阻RB连接在N沟道MOSFET管M的漏极D，其同相输入端连接在N沟道MOSFET管M的源极S，其电源端与稳压管Z并联； 

所述含有寄生二极管DB的N沟道MOSFET管M，其源极S与寄生二极DB管的正极连接，其漏极D与寄生二极管DB的负极连接，其栅极G连接于运算放大器Q的输出端。 

2.根据权利要求1所述自驱动的全桥同步整流电路，其特征在于：构成桥式的四个完全相同的自驱动有源开关（1-4），均通过各自的N沟道MOSFET管相连，即： 

第一自驱动有源开关（1）中N沟道MOSFET管M1，其源极S与第二自驱动有源开关（2）中N沟道MOSFET管M2的漏极D相连，其漏极D同时与第三自驱动有源开关（3）中N沟道MOSFET管M3的漏极D相连； 

第四自驱动有源开关（4）中N沟道MOSFET管M4，其漏极D与第三自驱动有源开关中N沟道MOSFET管M3的源极S相连，其源极S同时与第二自驱动有源开关（2）中N沟道MOSFET管M2的源极S相连。

3.根据权利要求1所述自驱动的全桥同步整流电路，其特征在于：所述的电源（5），其连接在第一自驱动有源开关（1）中N沟道MOSFET管M1的源极S与第三自驱动有源开关（3）中N沟道MOSFET管M3的源极S之间。 

4.根据权利要求1所述自驱动的全桥同步整流电路，其特征在于：所述的滤波电容C和负载R，其并联连接在第三自驱动有源开关（3）中N沟道MOSFET管M3的漏极D与第四自驱动有源开关(4)中N沟道MOSFET管M4的源极S之间，用于输出直流电压。 

5.一种自驱动的全桥同步整流电路，包括：由构成桥式连接的四个开关管（1-4）、电源（5）、滤波电容C和负载R；其特征在于：四个开关管采用四个完全相同的自驱动有源开关，每个自驱动有源开关，包括电源电路（6）、驱动电路（7）和执行电路（8），该电源电路（6），包括限流电阻RA1、开关二极管DA1、稳压管Z1和储能电容C1；该驱动电路（7），中包括保护电阻RB2和运算放大器Q1；该执行电路（8），包括带有寄生二极管DB2的P沟道MOSFET管； 

所述第一电阻RA，其连接在开关二极管DA的负极与P沟道MOSFET管的漏极D之间，储能电容C关联在稳压管Z上，稳压管Z的负极连接在P沟道MOSFET管的源极S，稳压管的正极连接在开关二极管DA的正极； 

所述运算放大器Q，其反相输入端通过RB连接在P沟道MOSFET管的漏极D，其同相输入端连接在P沟道MOSFET的源极S，其电源端与稳压管并联； 

所述含有寄生二极管DB的P沟道MOSFET管，其漏极D与寄生二极DB管的正极连接，其源极S与寄生二极管DB的负极连接，其栅极G连接于运算放大器Q的输出端。 

6.根据权利要求5所述自驱动的全桥同步整流电路，其特征在于：所述的四个完全相同的自驱动有源开关（1-4），均通过各自的P沟道MOSFET管相连，即： 

第一自驱动有源开关（1）中P沟道MOSFET管M1，其源极S与第二自驱动有源开关（2）中P沟道MOSFET管M2的漏极D相连，其漏极D与第三自驱动有源开关（3）中N沟道MOSFET管M3的漏极D相连； 

第四自驱动有源开关（4）中P沟道MOSFET管M4，其漏极D与第三自驱动有源开关中P沟道MOSFET管M3的源极S相连，其源极S同时与第二自驱动有源开关（2）中P沟道MOSFET管M2的源极S相连。