[发明专利]MOS芯片并联均流集成开关及其封装模块

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路及其封装模块技术领域。

背景技术

目前常见的开关管中，一般用快速恢复开关二极管(FRD)、肖特基硅二极管(SBD)等。它们的正向压降约为0.1～1.1V，甚至以上。因此，当电流大时，通态损耗也很大。如果输出电压低于3V，那么在开关变换器的总损耗中，通态损耗达到与FRD或SBD正向压降比较接近的程度。现代高速集成电路的电源电压，降低整流损耗，提高低压输出成为DC/DC变换器效率的关键。低电压功率MOSFET(简称MOS管)的正向压降VF及通态电阻RDS_(ON)很小至毫欧级。因此，在低压大电流输出的DC/DC PWM变换器中，为了提高DC/DC PWM变换器的整流效率，可以用正向导通压降为0.1V的功率MOS管代替整流二极管。但现在使用的功率MOS管通常使用单个芯片封装，单管工作电流一般只能达100A级别的工作电流，每个元件的参数差异大，工作电流不能满足大功率用户的需求。大电流场合中目前使用的都是用多管并联使用，由于单管参数的差异和布线的差异，令到各管工作电流不均衡，而导致MOS管烧毁。而多管并联在生产安装中连接麻烦，线路间干扰性大，散热不良，导致整个应用系统结构复杂，可靠性低。

另外在大电流电子开关应用上，现在用的电子开关存在通态电阻大，电流小等特点，在实际应用上存在很大局限性。

发明内容

本发明就是提供了一种具有动态均流的MOS芯片并联均流集成开关及其封装模块。

本发明要解决的问题所采用的技术方案：

一种MOS芯片并联均流集成开关，包括有并联的多个MOS芯片，各MOS芯片的栅极均串联有可感应对应MOS芯片工作温度的热敏电阻。

可优选地，所述热敏电阻为负温度系数热敏电阻。

本发明要解决的问题所采用的另一技术方案：

MOS芯片并联均流集成开关封装模块，包括有导电导热底板、注封在底板上用于覆盖集成电路的注封部以及露出注封部与集成电路电连接的接线端子，其特征在于：所述底板上固定有均与其绝缘的漏极焊接部和触发极焊接部，MOS芯片的源极基板电连接且热连接固定在底板上，热敏电阻紧邻对应的MOS芯片热连接固定在底板上，MOS芯片的漏极和漏极接线端子均与漏极焊接部电连接，热敏电阻串联在MOS芯片的源极和触发极焊接部之间，触发极焊接部与触发极接线端子电连接。

可优选地，所述热敏电阻为负温度系数热敏电阻。

与现有技术相比，本发明具有的有益效果：由多个并联的MOS芯片构成的集成开关可承载更大的电流，可有效提高开关电路的输出功率。而串联在MOS芯片栅极的热敏电阻可检测对应MOS芯片的工作温度，当并联的MOS芯片不均流时，发热量大的MOS芯片温度升高，热敏电阻检测到MOS芯片温升后阻值变小，可减少MOS芯片开关时的导通沿和关断沿的时间，亦即降低MOS芯片的开关损耗，从而减少MOS芯片的发热，将热量大的MOS芯片温度降下来，达到并联的MOS芯片均流的目的，而且动态均流控制。本大功率MOS开关模块，实现了在大电流的导通、关断的过程中无触点控制，具有导通电流大，响应快，损耗小，工作可靠等优点。

附图说明

图1为本发明MOS芯片并联均流集成开关的电路图；

图2为本发明MOS芯片并联均流集成开关封装模块的结构示意图。

具体实施方式

如图1、2所示，一种MOS芯片并联均流集成开关，包括有并联的多个MOS芯片1，各MOS芯片1的栅极G均串联有可感应对应MOS芯片1工作温度的热敏电阻2。该集成电路可视为一个大功率的具有温度补偿的MOS管，可应用于大电流输出的DC/DC PWM变换器的整流电路中。所有热敏电阻2的输入端并联后可视为MOS管的栅极触发极，所有MOS芯片的漏极D并联后视为MOS管的漏极，所有MOS芯片的源极S并联后视为MOS管的源极。具体的，所述热敏电阻2为负温度系数热敏电阻。