[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置及其制备方法无效
| 申请号: | 201310478508.8 | 申请日: | 2013-10-14 |
| 公开(公告)号: | CN103513459A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
| 发明(设计)人: | 姜文博;陈小川;王世君 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上设置有若干像素单元以及用于驱动所述像素单元的驱动电路,其特征在于,所述衬底基板边缘还设置有接地引线以及与所述接地引线电连接的第一静电防护层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一静电防护层覆盖在所述驱动电路上方。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动电路包括栅极驱动电路、源极驱动电路和/或公共电极驱动电路。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元包括薄膜晶体管;所述接地引线与所述薄膜晶体管的栅极金属层或者源漏金属层同层设置且材质相同。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括依次设置的栅绝缘层、钝化层以及透明电极层,所述第一静电防护层与所述透明电极层同层设置且材质相同,所述第一静电防护层通过栅绝缘层和钝化层上的过孔与所述接地引线电连接。
6.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1-5任意一项所述的阵列基板以及与所述阵列基板对盒的对盒基板。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述对盒基板上设置有与所述第一静电防护层电连接的第二静电防护层,且所述第二静电防护层与所述第一静电防护层的位置相对应。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述对盒基板为彩膜基板。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述彩膜基板上还设置有平坦层,所述第二静电防护层位于所述平坦层上方。
10.根据权利要求7-9任意一项所述的显示装置,其特征在于,所述第二静电防护层与所述第一静电防护层材质及形状相同。
11.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述阵列基板与所述对盒基板通过封框胶粘合,且所述封框胶部分覆盖所述第一静电防护层,所述封框胶覆盖所述第一静电防护层的区域内部设置有导电颗粒物;
所述第一静电防护层与所述第二静电防护层通过所述导电颗粒物电连接。
12.一种阵列基板制备方法,包括在衬底基板上形成像素单元以及与用于驱动所述像素单元的驱动电路的过程;其特征在于,还包括形成权利要求1-5任意一项所述的接地引线以及第一静电防护层的过程。
13.根据权利要求12所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述形成用于驱动所述像素单元的驱动电路的过程包括:
在衬底基板上形成所述栅极驱动电路、源极驱动电路和/或公共电极驱动电路的过程。
14.根据权利要求12所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述形成像素单元的过程包括形成薄膜晶体管的过程,所述形成接地引线的过程包括:
在衬底基板上沉积金属薄膜;
通过构图工艺同时形成所述接地引线图案以及薄膜晶体管的栅极金属层图案,或者通过构图工艺同时形成所述接地引线图案以及薄膜晶体管的源漏金属层图案;且所述接地引线图案位于所述衬底基板边缘。
15.根据权利要求12所述的阵列基板制备方法,其特征在于,所述形成像素单元的过程包括形成栅绝缘层以及钝化层的过程;所述形成第一静电防护层的过程包括:
在形成有栅绝缘层以及钝化层的衬底基板上通过构图工艺形成过孔图案;
在形成有过孔图案的衬底基板上沉积透明金属薄膜;
通过构图工艺形成透明电极层图案以及所述第一静电防护层图案,且所述第一静电防护层覆盖所述驱动电路上方并通过所述过孔与接地引线电连接。
16.一种显示装置制备方法,其特征在于,包括根据权利要求11-15任意一项所述的方法制备阵列基板的过程、制备与所述阵列基板对盒的对盒基板的过程以及将所述阵列基板与对盒基板对盒的过程。
17.根据权利要求16所述的显示装置制备方法,其特征在于,所述制备对盒基板的过程包括形成根据权利要求书7-10任意一项所述的第二静电防护层的过程。
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