[发明专利]一种载氧化铁/零价铁短孔道介孔硅的合成方法无效
| 申请号： | 201310478292.5 | 申请日： | 2013-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103553060A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李健生;王连军;陈心仪;齐俊文;孙秀云;沈锦优;韩卫清;刘晓东 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铁 零价铁短 孔道 介孔硅 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种载氧化铁/零价铁短孔道介孔硅的合成方法，其特征在于通过以下按步骤完成：
（1）制备未除模板剂的Zr-Ce-SBA-15介孔硅材料；
（2）将Fe(NO3)3·9H2O和未除模板剂的ZCS介孔硅材料充分混合研磨半个小时以上，在氮气气氛下升温至350℃煅烧，然后再升温至700℃、800℃或900℃煅烧，得到3种载入不同比例的氧化铁/零价铁的ZCS复合材料。
2.根据权利要求1所述的载氧化铁/零价铁短孔道介孔硅的合成方法，其特征在于步骤（1）中所述的ZCS介孔硅材料是利用三嵌段共聚物P123、金属前驱盐和正硅酸乙酯混合水热合成，其中所述的金属前驱盐为ZrOCl2·8H2O和Ce(NO3)3·6H2O的混合盐。
3.根据权利要求1所述的载氧化铁/零价铁短孔道介孔硅的合成方法，其特征在于步骤（2）中所述的Fe(NO3)3·9H2O与未除模板剂的ZCS介孔硅材料的质量比为0.4:1，所述的350℃下的煅烧时间为3h，700℃、800℃或900℃下的煅烧时间为3h，所述的升温速率为1℃/min。
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